第四章 辐射图象的光电转换.ppt

第四章 辐射图象的光电转换 4.1 光电发射的物理模型 4.2 电子受激跃迁的半经典分析 4.3 受激电子向表面迁移过程的分析 4.4 电子逸出表面过程的分析 处于绝对零度的本征半导体的能带如图4—l所示。 对于半导体，它的光电逸出功Φ0和热电子发射逸出功Φ是不同的。根据定义， T＝0K时 电子占据的最高能级是价带顶，它的光电逸出功Φ0是指从价带顶把电子激发到导带并使之逸出表面的最低能量，也就是价带顶到真空能级之间的能量差 4.5典型实用光阴极 4.5.1银氧铯(Ag-O-Cs)光阴极 4.5.2 锑铯(Sb-Cs)光阴极 4.5.3 多碱光阴极 4.5.4 负电子亲和势(NEA)光阴极 4.5.5 紫外(UV)光阴极 Φ0 = Eg +EA 其数值等于禁带宽度Eg与电子亲和势EA之和。由此可确定本征半导体在绝对零度时的长波阈(红限)波长 式中， A和c分别表示普朗克常数和真空中光速。 光电发射体内电子可由小于阈值彼长的光子激发成为灼热的电子，它经散射迁移到真空界面时，如具有克服电子亲和势的能量则可逸出。 银氧艳光阴极是1929年最先发明的一种对近红外光敏感的实用光阴极。它的光谱响应范围从300—1200nm的波长区域，其响应曲线有两个峰值：短波峰介于300-400nm之间，长波峰位于800nm附近。光谱响应特性曲