NandFlash及相关技术说明要点.pptVIP

NAND Flash及相关技术说明 Contents 2. 关键技术 1. 综述 3. 技术展望 4. QA 综述 什么是NAND Flash NAND Flash是一种非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device) ，与其类似的是NOR Flash。 NAND Flash种类 NAND Flash有两种：SLC（Single Level Cell）和MLC（Multi Level Cell）。 SLC：单个存储单元，只存储一位数据，表示成1或0。 单个存储单元中内部所存储电荷的电压和某个特定的阈值电压V相比，如果大于此V值，就是表示1，反之，就表示0。 综述 NAND Flash种类 MLC: 与SLC相对应，就是单个存储单元，可以存储多个位，比如2位，4位等。其实现机制就是通过控制内部电荷的多少，分成多个阈值，通过控制里面的电荷多少，而达到我们所需要的存储成不同的数据。 NAND Flash和 NOR Flash写入数据的过程，其实是放电的过程，即由1?0的过程。所谓的擦除，也即充电的过程，即由0?1的过程。正因为NAND Flash采用了块擦除方式即同一物理块同时充电的操作，提升了擦除的效率。 Company Logo 综述 NAND Flash种类 优缺点比较: 速度： SLC芯片理论速度为MLC的3倍左右。 MLC芯片理论速度只能达到2MB/s左右。 （MLC芯片理论速度只有2MB/s左右，市面上存储卡性能普遍高于此值，为什么？） 寿命： SLC芯片单个单元可以写10万次左右。 MLC芯片单个单元可以写10万次左右。 综述 NAND Flash种类 优缺点比较: 成本： SLC芯片相对价格较高。 MLC芯片相对价格较低。 容量： SLC芯片容量偏小—与成本相关联。 MLC芯片容量可以支持大容量的市场需求。 所以，虽然MLC的各项指标都落后于SLC闪存，但是MLC在架构上取胜SLC，MLC肯定是今后的发展方向。 综述 NAND Flash结构 综述 NAND Flash结构 一个NAND Flash由很多个块（Block）组成； 每个块由很多页（page）组成 ； 每一个页，分为数据区和空闲区域（spare area）/冗余区域（redundant area），Linux内核中，称之为OOB（Out Of Band）（为什么）； 一个NAND Flash由多个Plane组成（有什么作用？） 综述 NAND Flash管脚信号 为何需要ALE和CLE ？ 综述 NAND Flash优缺点 优点： NAND的写入速度快； NAND的擦除速度快（1Mb擦除仅需700us）； NAND支持大容量存储（4GB、8GB or ）； NAND成本低。 综述 NAND Flash优缺点 缺点： 写入前需要擦除； 擦除次数有限（MLC 10万次左右 ？）； NAND存在位反转的问题； NAND存在坏块，并且是随机的，并且在使用中也会产生坏块。 关键技术 NAND Flash关键技术 FTL（Flash Translation Layer） FTL实质上是一个LBA?PBA的过程，目的是为了写入数据时异地更新，提高写入数据效率，保证使用寿命，并且在LBA?PBA的过程中，会屏蔽坏块，使得对于HOST端来说，看到的始终是连续的一块地址空间。 关键技术 NAND Flash关键技术 典型FTL（基于Page映射）（drivers/mtd/ftl.c） 关键技术 NAND Flash关键技术 典型FTL 缺点： 基于页映射，消耗SRAM空间， 例如：目前选用NAND 有4096 * 256页，单页映射需要4字节空间，共需4MB SARM空间。 关键技术 NAND Flash关键技术 典型FTL（基于Block映射） 关键技术 NAND Flash关键技术 典型FTL 缺点： 频繁操作统一空间造成Merge次数过多，效率低下； 映射粗放，容易造成碎片增多。 关键技术 NAND Flash关键技术 典型NFTL（基于Hybrid映射）（drivers/mtd/nftlcore.c nftlmount.c ） 关键技术 NAND Flash关键技术 典型NFTL（基于Hybrid映射）（drivers/mtd/nftlcore.c nftlmount.c ） 关键技术 NAND Flash关键技术 典型NFTL 缺点：