微机技术第05章讲诉.ppt

第 5 章 第5章 半导体存储器及其接口 教学重点 存储器的内部结构、性能指标及选用 常用RAM和ROM及其与CPU的连接。 5.1 概述 除采用磁、光原理的辅存外，其它存储器主要都是采用半导体存储器 本章介绍采用半导体存储器及其组成主存的方法 存储系统的层次结构 所谓存储系统的层次结构就是把各种不同存储容量、不同存取速度的存储器，按照一定的体系结构方式组织起来，使所存放的程序和数据按层次分布在各种存储器中。 存储系统的层次结构的基本体系结构方式是分级存储： 高速缓冲存储器——主存储器——外存储器 主存储器（内存）： 存放信息速度快、CPU可直接访问、存储容量有限 外存储器（辅助存储器）： 存储容量大、价格低、存放信息速度慢、CPU不能直接访问 高速缓冲存储器（CACHE）： 存储容量小、CPU可直接访问、存放信息速度很快 1、主存——外存 考虑到CPU在某一段时间内所运行的程序和调用的数据仅占整个存储系统的一小部分，其它大部分信息是暂时不用或长时间不用的，因此，可以把“当前需要运行的程序和需要调用的数据”放入内存；将“暂时不用或长时间不用的程序和数据” 放入外存，待需要时再从外存调入内存，同时将内存中暂时不用的信息放入外存。 2、主存——高速缓冲存储器 随着计算机各部件与工艺的发展， CPU的存取速度与内存的存取速度有了较大的差距，内存的存取速度成为影响整机速度提高的瓶颈。为解决内存与CPU的速度匹配问题，在CPU与内存之间增设一个CACHE，其速度与CPU相匹配，可将CPU在一段时间后要执行的程序和需调用的数据预先从内存读入CACHE；将CPU输出的数据先暂存起来，再按照内存的存取速度读入内存。 3、虚拟存储技术 虚拟存储技术的基本思想是：将存储系统中的一部分外存与内存组合起来并视为一个整体，把两者的地址空间进行统一编址，形成逻辑地址空间，允许用户自由、充分地使用整个逻辑地址空间（系统指定的保留区域除外）。同时采用软、硬件结合的手段，将用户逻辑地址自动转换为实际访问内存的物理地址，并对程序自动分段调入/出内存。这样，用户在编程时无需再过多考虑可利用的地址空间是否足够，同时也无需考虑如何合理地对程序分段及存储空间的动态分配问题。 在虚拟存储系统中，对于存储管理、调度以及虚拟地址与实地址之间的转换，除了必要的硬件结构外，还需要相应的操作系统给予支持。 存储器的分类 1、按存取方式： （1）随机存储器（RAM） 读/写存储器，计算机的内存、CACHE均属于RAM （2）只读存储器（ROM） 只能读出信息，不能写入新的内容，用于存放固定不变的系统程序或子程序等 （3）顺序存储器（SAM） 信息排列、寻址操作和读写操作均按顺序进行，如磁带 2、按存储器载体： （1）磁介质存储器 如磁带、磁盘等，速度比较慢，通常只用于外存 （2）半导体存储器 容量大、速度快、体积小、功耗低，成本相对不高，广泛用于内存 （3）光存储器 容量大、速度快，但所需硬件相对复杂，主要用于外存 存储器的技术指标 1、存储容量：通常用允许存放的“字数×位数”（如“32K×16”表示该存储器有32K字，每字16位）或用“字节数”（如64KB、256MB） 2、存取周期：连续存入或取出两个数据所间隔的时间。以称“读写时间”或“访问时间” 3、取数时间：从CPU发出读命令开始，直到存储器获得有效读出信号的一段时间，其长短主要与存储载体的性质有关。另外，“存取周期”和“取数时间”不能混为一谈。 4、可靠性：通常以平均无故障工作时间MTBF（Mean Time Between Failuress）来衡量。 5、经济性：常以“性能价格比” 来衡量 5.1.1 半导体存储器的分类 按制造工艺 双极型：速度快、集成度低、功耗大 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低 按使用属性 随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失 图5.1 半导体存储器的分类 静态RAM工作原理 如图所示，MOS型静态RAM的基本存储单元可由六个MOS场效应晶体管构成。 VF1、VF2组成双稳态触发器，VF3、VF4为负载管，VF5、VF6为控制管 设VF1导通、VF2截止为“0”状态；VF2导通、VF1截止为“1”状态 存储单元可随机写入信息，也可随机读出信息；读出信息的过程是非破坏性的，读操作完成后，所保存的信息不变。 将多个存储单元按一定方式排列起来，就组成一个静态RAM存储器。 静态RAM存储器的基本存储单元是由一个双稳态触发器组成的，这些存储单元所存储的信息，只要不断电或没有触发信号到来，将一直保持不变。但在静态RAM存储电路中，MOS管数目多，故集成度较低，位容量相对要少，另外，V