基于第一性原理的镁合金设计解读.pptVIP

基于第一性原理的镁合金设计 材料与化学工程学院：豆雨辰 2015.11.04 “镁合金” Why？ 第一性原理的定义 为什么叫“第一性原理”？ 第一性原理软件介绍 VASP操作基础 主要输入文件 POSCAR, POTCAR, KPOINTS, INCAR 主要输出文件 OUTCAR, CHGCAR POSCAR（原子坐标） POS = position of atoms POTCAR(原子质量、电子轨道) POT = potential KPOINT （K空间采点） K空间，也叫倒空间。 INCAR VASP可以计算各种各样的物理量。（力学，热力学，光学……）。通过INCAR告诉VASP我们需要哪种物理量。 OUTCAR 和 CHGCAR 记录模拟过程 晶格参数 应力 能量 镁合金简介 2.1.1 固溶强化 A 尺寸因素 B 模量 B 模量 2.1.2 第二相强化 第二相颗粒通常是金属间化合物，通常比较 硬，对位错有较强的阻碍作用。为了在提高 强度的同时，不损失塑性，我们希望这些颗 粒不要太脆。 2.1.2 第二相强化 2.1.3 细晶强化 2.1.3 细晶强化 2.1.3 细晶强化 2.1.3 细晶强化 2.1.3 细晶强化 2.1.3 细晶强化 2.1.3 细晶强化 2.1.3 细晶强化 ----如何控制孪晶的生长？ 2.1.3 细晶强化 ----如何控制孪晶的生长？ 2.1.3 细晶强化 ----如何控制孪晶的生长？ 2.1.3 细晶强化 ----如何控制孪晶的生长？ 2.1.3 细晶强化 ----如何控制孪晶的生长？ 2.1.3 细晶强化 ----如何控制孪晶的生长？ 2.2 提高镁合金的塑性 2.2 提高镁合金的塑性 2.2 提高镁合金的塑性 2.2 提高镁合金的塑性 2.2 提高镁合金的塑性 如果你要考研！ 本科毕设的时候来我这里学习第一性原理！ 谢 谢！ C+ 基于孪晶的“聂建峰”气团 重庆大学教授 聂建峰 C+ 基于孪晶的“聂建峰”气团 C+ 基于孪晶的“聂建峰”气团 孪晶偏聚能 溶质原子偏聚到孪晶界面，使得体系的能量降低。大原子偏聚与膨胀格点，小原子偏聚于压缩格点。 C+ 基于孪晶的“聂建峰”气团 偏聚的前题是扩散 扩散激活能 C+ 基于孪晶的“聂建峰”气团 孪晶偏聚强化设计图 从试验的角度，很难对第二相颗粒的塑性进行测试 σ33 σ32 人为 设定 VASP 计算 未知 Mg7Y 2.1.2 第二相强化 读研吧！有海量的化合物等着你！ B/G2 表示塑性较好 2.1.2 第二相强化 Mg5Ga2 MgGa0.4 2.0 Mg2Ga MgGa0.5 2.31 MgGa MgGa1.0 2.43 MgGa2 MgGa2.0 2.64 Mg2Ga5 MgGa2.5 1.77 合金设计思路： 1、熔炼不同Ga浓度的合金 2、用不同的工艺进行热处理 3、用X射线衍射的方式确定相的种类及含量 4、根据反馈调整热处理工艺，直到第二相以MgGa0.5 ， MgGa1.0， MgGa2.0为主。 位错遇到晶界后，会被晶界阻碍而塞集，进而产生细晶强化效应。随着位错的塞集，局部应力会逐渐增加。增加到一定程度后，有可能在相邻晶粒产生新的位错。也有可能产生裂纹。 有没有一种可能性？ 晶界对位错有一定的阻碍效果，起到强化的作用。当应力集中到一定层度后，位错可以和晶界反应。要么穿过晶界，要么转变为晶界位错。 作为一种特殊的晶界，{10-12}孪晶就具有如下特性。 1、基面螺位错可以穿过孪晶界面。在孪生区域的柱面上滑移。 作为一种特殊的晶界，{10-12}孪晶就具有如下特性。 1、基面螺位错可以穿过孪晶界面。在孪生区域的柱面上滑移。 注意：螺位错穿过孪晶界面后，对界面没有任何影响。 2、混合位错和{10-12}孪晶界面反应，生成孪晶位错，孪晶位错可在孪晶界面上迁移。 所以，有理由相信，增大{10-12}孪晶基面的密度，可以在提高强度的同时，不牺牲塑性。 但是：{10-12}孪晶界面的数量很难提高！ 为了获得大量{10-12}孪晶界面，需要多个{10-12}孪晶同时形核并同时长大。然而，{10-12}孪晶的长大速度非常快，一旦形核，就会迅速长大。也就是说，需要利用有效的措施来控制孪晶的长大。 1、合金成分 “聂建峰”气团 2、合理利用晶体缺陷？ TEM下的层错 合金化 + 适当的预变形工艺 镁合金基面层错能很低 引入大量层错 对{10-12}孪晶进行强化 模型 拉 约2