B10第4章存储器。幻灯片.pptVIP

第4章 微机的存储器 4.1 存储器与存储器件 4.2 存储器的连接 4.3 微型计算机系统中存储器的体系结构 4.4 Pentium的虚拟存储机制和片内两级存储管理 4.5 高档微机系统中的高速缓存技术 4.1 存储器与存储器件 1. 存储器的分类 2. 微型计算机内存的行列结构 3. 选择存储器件的考虑因素 4. 随机存取存储器RAM 5. 只读存储器ROM 1. 存储器的分类 内存储器 通过CPU的总线直接与CPU连接，可与CPU直接交换信息。 用来存放CPU当前运行所需的程序和数据。 采用半导体存储器，存取速度快，体积小，集成度高，成本低，具有一定容量。 外存储器 通过I/O接口电路与CPU连接， CPU不能直接访问它，需要时可以成批地与内存直接交换信息。 用来存放暂时不参加运行的程序和数据。 采用磁表面存储器和光盘存储器，密度高，存储容量大，可以永久性保存信息，但速度较低。 半导体存储器的分类 2. 微型计算机内存的行列结构 例如： 32K×8的SRAM芯片62256，表明该存储芯片含有32K(即215)个存储单元，也就是32×1024×8个基本存储电路，芯片的数据线有8根，地址线有15根，片内的地址范围为0000H～7FFFH。 3.选择存储器件的考虑因素 易失性 只读性 存储容量 速度 功耗 4. 随机存取存储器RAM SRAM在不断电的条件下能够保持所存信息无需刷新且为非破坏性读出。 DRAM需要定时刷新，且为破坏性读出。 1）典型SRAM芯片2114(1K×4)、6116(2K×8)、6232(4K×8)、6264(8K×8)和62256(32K×8)等。 2）典型DRAM芯片 2116(16K×1)、2164(64K×1)、 4164(64K×1) 高集成DRAM（RAM Modules） 多片DRAM集成→内存条 SIMM 30P，单边缘：8位数据宽度 72P，32位数据宽度 DIMM 168P ，64位数据宽度 例：KMM375S1620BT 16M*72bit (条上包括18片16M×4位的SDRAM芯片及一些辅助芯片） 5. 只读存储器ROM 1）EPROM（紫外光可擦除的只读存储器） 这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0 浮空栅极带电，MOS管导通，即存入0； 浮空栅极不带电，MOS管不导通，即存入1。 改写时可用紫外线照射，使浮空栅中的电子获得足够的能量而散失。然后重新写入。 典型EPROM芯片： 2716(2K×8)、2732(4K×8)、2764(8K×8)、27128(16K×8)、27256(32×8)、27512(64×8)。 2）EEPROM 通过一定的电压（或电流）来擦除其中的信息，然后重新写入。它的主要特点是能在应用系统中在线改写，断电后信息保存。 有字节擦写、块擦写和整片擦写方法。 并行EEPROM：多位同时进行。 串行EEPROM：只有一位数据线。 3） Flash Memory Flash Memory既可在不加电情况下长期保存信息，又能在线进行快速擦除与重写，兼有RAM和ROM的优点。 按照擦除和使用方式，Flash Memory有三类： 整体擦除； 对称型块结构Flash Memory； 带自举块Flash Memory。 通过向Flash Memory芯片写入命令字来实现各方面功能。 4.2 存储器的连接 1. 译码产生片选 6116: A0~A10(2K) 地址：1010 0000 0000 0000 0000 ~1010 0000 X111 1111 1111 A0000~A07FFH（地址重叠区：A0800~A0FFFH：原因A11未参加译码）。 2．SRAM、EPROM与8088CPU的连接举例 例2：某8088系统用2732（4K×8位）EPROM芯片和6264（8K×8位）SRAM芯片构成28KB的内存。其中，ROM的地址范围为00000H～02FFFH，RAM的地址范围为03000H～06FFFH。试利用74LS138译码，画出存储器与CPU的连接图。 3．SRAM、EPROM与8086CPU的连接举例 1) 8086与EPROM的连接 2） 8086与EPOROM连接示例 3) 8086与SRAM的连接 4) 8086与SRAM连接举例 8086CPU组成的最小模式系统有8K字的RAM，其地址范围为00000H～03FFFH，RAM选用芯片为6116，画出RAM系统连接图。 解：6116芯片容量为2K×8，8个芯片分成4组组成8K字的RAM存储子系统。 存储芯片的数据线 存储芯片的地址线 存储芯片的片选端 主要与地址发生联系：包括地址空间的选择（接系统的M/IO＃信号）和高位地址的译码