第06章刻蚀技术总结.pptVIP

刻蚀多晶硅步骤 1. 第一步是预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层（如SiON）和表面污染物来获得均匀的刻蚀（这减少了刻蚀中作为微掩蔽层的污染物带来的表面缺陷。 2. 接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。 3. 最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留物和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽（小槽形成）。 在多晶硅栅刻蚀中不期望的微槽 衬底 多晶 光刻胶 栅氧化层 离子 栅氧化硅中的沟槽 硅槽的刻蚀 Si+4F*?SiF4? SiO2+4F*?SiF4? +O2? Si3N4+12F*?3SiF4? +2N2? 硅、Si3N4和SiO2刻蚀 CF4中添加少量O2可增加对Si， SiO2和Si3N4的腐蚀速率 10%O2可获得最大的Si/SiO2刻蚀比 在CF4中加入少量H2，可使CFx：F*的浓度比增加。 从而使SiO2:Si及Si3N4：Si的腐蚀速率比增大 增加F/C比（加氧气），可以增加刻蚀速率 减少F/C比（加氢气），刻蚀过程倾向于形成高分子膜 金属刻蚀的主要要求 1. 高刻蚀速率 (大于1000 nm/min). 2. 对下面层的高选择比，对掩蔽层 (大于4:1), 和层间介质层 (大于20:1). 3. 高的均匀性，且CD控制很好. 4. 没有等离子体诱导充电带来的器件损伤. 5. 残留物污染少 (如铜硅残留物、显影液侵蚀和表面缺陷). 6. 快速去胶，通常是在一个专用的去胶腔体中进行，不会带来残留物污染. 7. 不会腐蚀金属. VLSI/ULSI 技术中的复合金属层 钨的反刻 金属2复合层 (d) 金属2 淀积 钨塞 (a) 通孔刻穿 ILD-2 (SiO2)层 金属1 复合层 ILD-2 ILD-1 通孔 SiO2 (c) 钨反刻 SiO2 钨塞 (b) 钨 CVD 通孔填充 钨 去胶机中氧原子与光刻胶的反应 衬底 光刻胶 去胶反应腔 2) O2 分解成原子氧 3) 等离子体能量将氧变成正离子 4) 中性 O和O+ 与光刻胶中的 C 和 H反应 中性氧原子团 5) 副产物解吸附 6) 副产物去除 Exhaust 气体输入 顺流等离子体 1) O2 分子进入反应腔 + + + + + + + l l + 等离子刻蚀终点检测 终点检测 正常刻蚀 在刻蚀速率探测发生变化的地方. 终点信号停止刻蚀. 时间 刻蚀参数 在等离子体刻蚀中被激发的基团的特征波长 思考题 1、刻蚀工艺有哪两种类型？各自的优缺点是什么？ 2、什么是刻蚀中的等离子体诱导损伤？以及这些 损伤会带来什么问题？ * 单片硅片上有刻蚀均匀性的问题 片与片之间也存在刻蚀均匀性的问题 * * 钻蚀也叫侵蚀 过刻蚀也叫过腐蚀 * 氟硅酸?：h2sif4 磷酸二氢根 No3-硝酸根 * 高分子膜：聚合物 * 半导体制造技术第 6 章 刻 蚀 第一章 引言 第二章 晶体生长 第三章 工艺中的气体、化试、水、环境和硅片的清洗 第四章 硅的氧化 第五章 光刻 第六章 刻蚀 第七章 扩散 第八章 离子注入 第九章 薄膜淀积 第十章 工艺集成 第十一章 集成电路制造 通常的CMOS工艺流程 注入 扩散 测试/拣选 刻蚀 抛光 光刻 完成的硅片 无图形的硅片 硅片起始 薄膜 硅片制造 (前端) Used with permission from Advanced Micro Devices 刻蚀的应用 光刻胶 被刻蚀材料 (a) 有光刻胶图形衬底 (b) 刻蚀后的衬底 光刻胶 被保护层 本章主要内容 刻蚀的性能参数 2. 两种刻蚀方法：湿法腐蚀、干法刻蚀 刻蚀速率R(etch rate) 单位时间刻蚀的薄膜厚度。对产率有较大影响 刻蚀均匀性(etch uniformity) 一个硅片或多个硅片或多批硅片上刻蚀速率的变化 选择性S(Selectivity) 不同材料之间的刻蚀速率比 各向异性度A(Anisotropy) 刻蚀的方向性A=0, 各项同性；A=1, 各项异性 掩膜层下刻蚀(Undercut) 横向单边的过腐蚀量（钻蚀） 刻蚀的性能参数 刻蚀速率R ?T 刻蚀开始 刻蚀结束 t = 刻蚀时间 ?T = 刻蚀掉的厚度 刻蚀均匀性 在每片上测5至9个点处的刻蚀速率，然后计算每片的刻蚀均匀性并比较片与片之间的均匀性 在一批中随机抽取 3 至 5片 Rhigh: 最大刻蚀速率 Rlow: 最小刻蚀速率 两大关键问题：选择性和方向性 待刻材料的刻蚀速率 掩膜或下层材料的刻蚀速率 横向刻蚀速率 纵向刻蚀速率 各向异性度A 选