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3D集成电路 新技术介绍 3D集成电路产生原因1 3D集成电路产生原因2 3D集成电路产生原因3 3D集成电路 3D集成电路的定义 3D集成电路 穿透硅通孔（TSV） 层减薄技术 初步应用需减薄到大约75~50μm，而在将来 需减薄到约25~1μm； 东芝的最新图形处理LSI 韩美联合科研组成功研发三维集成电路技术 * * 最早认识到这些问题是在2001年，当IEEE院士Saraswat、Rief和Meindl预测，“芯片互连恐怕会使半导体工业的历史发展减速或者止步……”，并提出应该探索电路的3D集成技术。 2007年9月，半导体工业协会（SIA）宣称：“在未来大约10-15年内，缩小晶体管尺寸的能力将受到物理极限的限制”，因此3D集成的需求变得更加明显。全新的器件结构，比如碳纳米管、自旋电子或者分子开关等，在10-15年内还不能准备好。5新型组装方法，如3D集成技术再次被提了出来。 存储器速度滞后问题是3D集成的另一个推动因素，众所周知，相对于处理器速度，存储器存取速度的发展较慢，导致处理器在等待存储器获取数据的过程中被拖延。在多核处理器中，这一问题更加严重，可能需要将存储器与处理器直接键合在一起。 　 2005年2月，当《ICs Going Vertical》发表时，几乎没有读者认识到发生在3D IC集成中的技术进步，他们认为该技术只是叠层和引线键合，是一种后端封装技术。 　 3D集成被定义为一种系统级集成结构，在这一结构中，多层平面器件被堆叠起来，并经由穿透硅通孔（TSV）在Z方向连接起来。TSV也可以在CMOS器件制造完成之后制作。在键合工艺之前完成，或者在键合工艺之后完成。由于CMOS器件已经制作完成，因此在通孔形成时晶圆不需要再经受高温处理，所以可以使用铜导电材料。很明显，制作这些通孔的空白区域需要在设计芯片时就予以考虑 。 　 3D集成被定义为一种系统级集成结构，在这一结构中，多层平面器件被堆叠起来，并经由穿透硅通孔（TSV）在Z方向连接起来 对准和键合技术 芯片与晶圆（D2W）之间，或者晶圆与晶圆（W2W）之间。 相当于现有产品大约38倍的性能。可以大大提高手机游戏的显示效果，最大限度的减少运行游戏时的系统负荷。 * *