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引 言 近几十年来，微波器件的飞速发展，如双级晶体管（BJT）、结型场效应管（JFET）的发明，以及砷化钾肖特基势垒栅场效应管（GaAs MES FET）的研制成功。这些成功，使得微波固态电路随之也发生了飞速的进步。由于80年代初的先进工艺，使得级间线条尺寸缩小到了亚微米级，又一次大大提高了了工作频率。随后异质结双级晶体管（HBT），高电子迁移率晶体管（HEMT）,也相继研制成功。目前这些新的器件的工作频率已经进入了毫米波段，HEMT多用于微波低噪声放大器，现在国外已研制出毫米波单片集成电路，HBT的应用不仅可作微波功放、微波振荡器、微波开关，还可作分频器，模数变换、高速逻辑电路等，预测将来微波集成电路必然有着跟迅速的发展。 微波基本知识及课题背景 分米波 10-----1分米 特高频（UHF） 300-----3000 Hz 微波 厘米波 10-----1厘米 超高频（SHF） 3000-----30000Hz 毫米波 10-----1毫米 极高频（EHF） 30000-----300000Hz （贴图） 其简单工作过程是：利用天线将从空中接受的微弱电磁波变为无调电流，经过可调谐的高频放大器选择出所需接收的信号，并同时放大信号。放大后的高频已调信号与本振振荡器的频率相混频，变为频率较低而且固定的中频已调信号，经过中频放大以后，又检波器检出原来的调制信号，在经低频放大器放大去推动终端设备。 我的课题即是设计一个中频放大器。中频放大器是一种频带较宽的谐振放大器。他的主要作用是放大中频已调信号。他与高频放大器相同之处是：二者均采用谐振回路做负载。其差异有二：一是由于削弱邻近信号的干扰是中放的任务之一，故而中放具有接近矩形的理想谐振曲线。二是中放具有工作频率固定与级数多两个特点。因而中放由多级固定调谐的小信号谐振放大器组成。 高频放大器，中频放大器，其主要任务是在很多干扰和信号中选择出所需的信号加以放大，由于他们的输出信号的频率与输入信号的频率相同，因此，这些部分是接收机的线性部分。 L波段低噪声放大器在卫星通讯系统，雷达系统，无线通讯系统的等等中，有着广泛的应用。在通讯系统中，为了提高系统接受微弱信号的能力，需要克服外部噪声和内部噪声对系统的影响，而低噪声放大器是决定整个系统噪声性能的核心部件。根据课题的要求，：设计一个L波段的低噪声放大器，工作频率：1到1.5GHz，噪声系数：小于2db，相关增益：大于25db。 微波固态电路介绍 微波固态电路的发展与微波集成电路技术密切相关，而微型化技术则是以提高集成度为基础的。目前对雷达，电子战和通讯等电子设备中微波电路“微型化”的呼声甚高；“微型化”的含义远比其名词本身寓意要广泛，它至少还意味着：一致性，低价格和高可靠。微波集成电路(MIC)的概念来自低频集成电路(IC)，其发展也是遵循着低频的途径。60年代后期随着各种微波半导体器件的问世以及微带传输线理论和薄膜工艺的成熟，以混合集成电路(HMIC)的形式出现。是采用薄膜或厚膜工艺在介质衬底表面制作以分布参数为主的微波电路，其中有源器件和集总参数元件（电容，电阻等）通过键合，焊接或压接加到衬底表面。70年代HMIC发展迅速，应用广泛，使原先用分立元件实现的微波系统在小型化，轻量化方面起了变革，性能与价格方面也有所得益，而且逐渐出现了集成度提高的多功能HMIC。HMIC的发展对微波技术本身起了推动作用，并为单片微波集成电路的研制奠定了基础。MMIC的含义是采用半导体多层工艺（如外延，离子注入，溅射，蒸发，扩散等方法或这些方法与其他方法的结合）将所有的微波或毫米波有源器件或无源元件（包括连接线）制成一整体或制作于半绝缘衬底表面以实现单个芯片的功能部件或整件。近10年来，MMIC事业蓬勃发展，归因于：性能优良的GaAs半绝缘衬底材料的大量应用及外延，离子注入等工艺的成熟，MESFET的大力开发并已成为多用途器件；肖特基势垒二极管与各种MESFET（包括双栅FET）可用相同工艺在同一衬底上制作；特别是可进行精确定模和优化设计的CAD工具日臻完善。与功能相同的HMIC相比，MMIC的体积，重量可减至1/100或更小（频率愈低，减少愈多，在L波段可减至1/1000，或更小）。因MMIC适于批加工，在材料均匀性好和工艺成熟的前提下可实现良好的电性能一致。由于大大减少接插件，联线和外接元器件，可靠性改善因数可达20---100，由于寄生参量减至最小，MMIC具有宽带本能，其抗辐射能力也较强。但MMIC也有其缺点。首先。采用半导体工艺在衬底上制成的电路，从占有面积来看，无源元件比有源元件大，因此不