IGBT模块的研制(看)绪论.pptVIP

* 3. 器件仿真：仿真示例 * 3. 器件仿真：仿真示例 * 3. 器件仿真：仿真示例 * 3. 器件仿真： 芯片解剖初步确定器件结构； 器件仿真，对初步确定的结构进行仿真，根据仿真结果进行优化，得到一个优化的结构； 通过工艺方案，获得性能优化的实际器件是研发的最终目的； 工艺仿真可以降低工艺研发成本。 * 主 要 内 容 引 言 芯片解剖 器件仿真 工艺仿真 掩膜版设计 电参数测试 工艺试验与实现 * 4. 工艺仿真： 工艺过程分三大类： 薄膜制备： 金属、半导体、绝缘体膜 CVD，PVD，热氧化 图形转移： 光刻：掩膜版、光刻胶、光刻机 刻蚀：干法、湿法 半导体掺杂： 离子注入、扩散 * 4. 工艺仿真： 完成IGBT芯片制造大约需要20-30步工艺步骤； 前后工艺步骤相互作用、制约： 前期的掺杂会影响后期氧化、刻蚀的速度； 后继各热过程会使前期生成的杂质重新分布。 预获得期望的最终器件结构需要对整个工艺进行整合处理。 如果完全靠实际工艺调整，不仅成本高，且非常耗时。 * 4. 工艺仿真： 工艺仿真可以获得近乎接近实际工艺效果的仿真结果； 通过调节仿真工艺参数，可以快速追踪到切实可行的工艺条件，极大降低工艺成本。 实际工艺实施过程中，只需对少许参数进行控制条件就。 * 4. 工艺仿真 软件支撑： Avanti的Tsuprem4 ISE的Dios 软件仿真优势： 可以随时监控