2第1章电力电子器件解剖.ppt

第一章 电力电子器件 1.1 电力电子器件的特点与分类-特点 电力电子器件在电力电子电路中一般都工作在开关状态。 关断时承受一定的电压，但基本无电流流过；导通时流过一定的电流，但器件只有很小的导通压降。电力电子器件工作时在导通和关断之间不断切换，其动态特性是器件的重要特性。 电力电子器件处理的功率较大，具有较高的导通电流和阻断电压。 由于自身的导通电阻和阻断时的漏电流，电力电子器件会产生较大的耗散功率，往往是电路中主要的发热源。为便于散热，电力电子器件往往具有较大的体积，并且使用时一般都要安装散热器，以限制因耗散功率造成的升温。 电力电子器件的工作状态通常由信息电子电路来控制。 由于电力电子器件处理的电功率较大，信息电子电路不能直接控制，需要中间电路将控制信号放大，该放大电路就是电力电子器件的驱动电路。 需要缓冲和保护电路。 电力电子器件的主要用途是高速开关，与普通电气开关、熔断器和接触器等电气元件相比，其过载能力不强，电力电子器件导通时的电流要严格控制在一定范围内。 1.1 电力电子器件的特点与分类-分类 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可对电力电子器件进行如下分类： (1)不可控器件。不能通过控制信号来控制电路的通断，器件的导通与关断完全由自身在电路中承受的电压和电流来决定。典型器件是功率二极管。 (2)半控型器件。通过控制信号能控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。典型半控型器件是晶闸管及其派生器件。 (3)全控型器件。通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。这类器件的品种很多，典型器件有门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、功率场效应管(Power MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。 1.1 电力电子器件的特点与分类-分类 而按照控制电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，又可将可控电力电子器件分为电流驱动型器件和电压驱动型器件。 (1)电流驱动型器件。通过从控制极注入和抽出电流来实现器件的通断，其典型代表是GTR。 (2)电压驱动型器件。通过在控制极上施加正向控制电压实现器件导通，通过撤除控制电压或施加反向控制电压使器件关断。当器件处于稳定工作状态时，其控制极无电流，因此平均控制功率较小。由于电压驱动型器件是通过控制极电压在主电极间建立电场来控制器件导通，故也称场控或场效应器件，其典型代表是Power MOSFET和IGBT。 1.1 电力电子器件的特点与分类-分类 按照驱动信号的波形（电力二极管除外 ） （1）脉冲触发型。通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现器件的 开通或者关断的控制。 （2）电平控制型。必须通过持续在控制端和公共端之间施加一定电平的电压或 电流信号来使器件开通并维持在导通状态或者关断并维持在阻断状态。 1.1 电力电子器件的特点与分类-分类 根据器件内部带电粒子参与导电的种类不同，电力电子器件又可分为单极型、双极型和复合型三类。 （1）单极型器件。器件内部只有一种带电粒子参与导电的称为单极型器件，如Power MOSFET； （2）双权型器件。器件内有电子和空穴两种带电粒子参与导电的称为双极型器件，如GTR和GTO； （3）复合型器件。由双极型器件与单极型器件复合而成的新器件称为复合型器件，也称混合型器件。如IGBT等。 1.2 晶闸管及派生器件 晶闸管(Thyristor)就是硅晶体闸流管，普通晶闸管也称为可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR）, 普通晶闸管是一种具有开关作用的大功率半导体器件。 1.2.1 晶闸管的结构和工作原理 1.晶闸管的结构 晶闸管是具有四层PNPN结构、三端引出线(A、K、G)的器件。 1.2.1 晶闸管的结构和工作原理 2.晶闸管的工作原理 IG↑→Ib2↑→IC2(Ib1)↑→IC1↑ 1.2.1 晶闸管的结构和工作原理 欲使晶闸管导通需具备两个条件： 应在晶闸管的阳极与阴极之间加上正向电压。 应在晶闸管的门极与阴极之间也加上正向电压和电流。 晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用，故晶闸管为半控型器件。 为使晶闸管关断，必须使其阳极电流减小到一定数值以下，这只有用使阳极电压减小到零或反向的方法来实现。 1.2.2 晶闸管的工作特性及主要参数 (1) 晶闸管的伏安特性 晶闸管的伏安特性是晶闸管阳极与阴极间 电压UAK和晶闸管阳极电流IA之间的关系特性。 1.2.2 晶闸管的工作特性及主要参数 1.2.2 晶闸管的工作特性及主要参数 (2) 晶闸管的动态特性 晶闸管开通与关断过程中的伏 安特性变化关系称为晶闸管的动态特性 1.2.2 晶闸管的工作特性及主要参数 ◆关断过程 ?由于外电路