第二章光源基础知识要点.ppt

第二章 光源基础知识 光度量只在可见光区（380-760nm)才有意义。 辐射度量和光度量都是波长的函数。 由于人眼的视觉细胞对不同频率的辐射有不同响应，故用辐射度单位描述的光辐射不能正确反应人的亮暗感觉。 MOS管（场效应管） 半导体的光吸收 1.物质对光吸收的一般规律 光波照射到物体表面，测量透过物体的光通量的衰减，发现通 过路程dx后光通量的变化df与入射的光通量f和路程dx的乘积 成正比，即 df=-a?fdx，a称为吸收系数。设初始条件x=0时 f=f0 ，则通过路程dx后的光通量 f=f0e-ax，光透过物体 时，透过的能量衰减到原来能量的e-1时所透过的路程x0的倒数等 于该物质的吸收系数a，即a =1/(x0)。 (2)杂质吸收引起杂质吸收的光子的最小能量应等于杂质的电离能。由于杂质电离能比禁带宽度小，所以这种吸收在本征吸收限以外的长波区 在恒流区内， ID随UGS的大小而改变，曲线的间隔反映出UGS对ID的控制能力。从这种意义来讲，恒流区又可称为线性放大区。场效应管作放大运用时，一般就工作在这个区域。 恒流区产生的物理原因，是由于漏源电压UDS在N沟道的纵向产生电位梯度，使得从漏极至源极沟道的不同位置上， 沟道-栅极间的电压不相等，靠近漏端最大，耗尽层也最宽， 而靠近源端的耗尽层最窄。 这样，在UGS和UDS的共同作用下，导电沟道呈楔型，如图1.3.5所示。 由于耗尽层的电阻比沟道的电阻大得多，所以UDS增加的部分几乎全部降落在夹断处的耗尽层上，在导电沟道上的电位梯度几乎不变， 因而ID就几乎不变，出现恒流现象。 从上面的分析， 可以得到N沟道结型场效应管产生夹断（即出现恒流）的条件为 UGD≥UGS(off) UGS(off)＜0 或 UGS-UDS≤UGS(off) 即 UDS≥UGS—UGS(off) (3) 击穿区: 特性曲线快速上翘部分称为击穿区。在此区内，UDS较大，ID剧增，出现了击穿现象。场效应管工作时，不允许进入这个区域。 3.场效应管的主要参数 (1) 开启电压UGS(th): 当UDS为常数时，形成ID所需的最小|UGS|值，称开启电压。 (2) 夹断电压UGS(off): 在UDS固定时，使ID为某一微小电流(如1uA、10uA)所需的UGS值。 (3) 低频跨导gm: UDS为定值时，漏极电流ID的变化量ΔID与引起这个变化的栅源电压UGS的变化量ΔUGS的比值，即 (4) 漏源击穿电压U(BR)GS: 管子发生击穿，ID急剧上升时的UDS值；UDSU(BR)GS。 (5) 最大耗散功率PDM: PD=I DUDSPDM。不能超过PDM，否则要烧坏管子。 (6) 最大漏极电流IDM：管子工作时，ID不允许超过这个值。 绝缘栅场效应管 1.N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构 N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构如图1.3.6(a)所示。它的制作过程是：以一块杂质浓度较低的P型硅半导体薄片作衬底，利用扩散方法在上面形成两个高掺杂的N+区，并在N+区上安置两个电极，分别称为源极(S)和漏极(D)；然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅绝缘层，并在二氧化硅表面再安置一个金属电极，称为栅极(G)；栅极同源极、漏极均无电接触，故称“绝缘栅极”。 由于这种管子是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属氧化物半导体场效应管，简称MOS场效应管。它是目前应用最广的一种。根据栅极(金属)和半导体之间绝缘材料的不同，绝缘栅场效应管有各种类型，例如以氮化硅作绝缘层的MNS管，以氧化铅作绝缘层的MAIS管，等等。 如果以N型硅作衬底，可制成P沟道增强型绝缘栅场效应管。N沟道和P沟道增强型绝缘栅场效应管的符号分别如图1.3.6(b)和(c)所示，它们的区别是衬底的箭头方向不同。 2.N沟道增强型绝缘栅场效应管的工作原理 在图1.3.6(a)中，如果将栅、源极短路，那么不论漏、源极间加的电压极性如何，总会有一个PN结呈反向偏置，漏、源极间将无电流。 如果在栅、源极间加上一个正电源UGG，并将衬底与源极相连，如图1.3.7所示。此时，栅极(金属)和衬底(P型硅片)相当于以二氧化硅为介质的平板电容器，在正栅源电压UGS(即栅-衬底电压UGU)的作用下，介质中便产生一个垂直于P型衬底表面的由栅极指向衬底的电场，从而将衬底里的电子感应到表面上来。当UGS较小时，感应到衬底表面上的电子数很少，并被衬底表层的大量空穴复合掉；直至UGS增加超过某一临界电压时，