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Xidian University 第二章 射频电路基础 2·1起伏噪声特性 起伏噪声：由电阻内电子的热运动和晶体管内带电粒子的不规则运动引起。 起伏噪声特性： 频谱 功率谱密度：单位频带内的功率S( f )（dBm/Hz) 等效噪声带宽 2·2 电路器件的噪声 电阻 噪声功率谱密度： 噪声电压均方值： 热噪声等效电路： 双极型晶体三极管 场效应管 二端口网络 任何一个有噪的二端口网络的内部噪声都可以由置于输入端的两个噪声源来等效：一个和信号源串联的噪声电压源一个和信号源并联的噪声电流源 其中：  是当输入端短路时网络输出噪声功率等效到输入端的值 是当输入端开路时网络输出噪声功率等效到输入端的值 2·3 噪声系数 噪声系数NF： 是输入信噪比与输出信噪比的比值 2·4 等效噪声温度 2.5 多级线性网络级联的噪声系数 当有多级单元模块级联时，由于每个模块都有固有噪声，级联之后会影响整个接收机性能。 多级级联的噪声系数计算： 2.6 灵敏度与动态范围 灵敏度：在给定要求的输出信噪比的条件下，接收机所能检测的最低输入信号电平。 动态范围：系统正常工作时所能够承受的信号变化范围。下限由灵敏度决定；上限由可接受的最大信号失真决定。 * * 第一节 谐振回路与阻抗变换 第二节 电子噪声 电子设备的性能在很大程度上与干扰和噪声有关。 在通信系统中，提高接收机的灵敏度有时比增加发射机的功率更有效，而接收机的灵敏度与噪声有关。 噪声（干扰）： 有用信号以外的一切不需要的信号以及各种电磁扰动。 按发生地点分为：外部干扰、内部干扰； 按产生根源分为：自然干扰、人为干扰； 按电特性可分为：脉冲型、正弦型、起伏型； 习惯上把外来的称为干扰，把内部产生的称为噪声。 我们讨论的对象是具有起伏特性的内部噪声。 R R 例：常温下1K电阻上的最大热噪声电压有效值 （注：电阻热噪声均匀频谱大约在1012～1014 Hz的范围） 对于一个电阻网络，总的等效的噪声功率应当是各个噪声源作用的瞬时值的叠加，再求其瞬时功率的统计平均值，由于各个电阻的噪声源是统计不相关的，也就是说其互相关函数为0，因而可以得出总的等效噪声源可用其总等效电阻的噪声来表示。 例：试求如图网络的噪声等效电路。 利用戴维南定理，求出 R1的噪声对输出的贡献为： R2、R3的噪声对输出的贡献为： 根据叠加定理，有： 由于vn是平稳的白噪声，各个源互相独立，互相关联为0，且集合平均可以用样本的时间平均来等效。故上式中第2个极限部分的结果值为0，第1个极限中的各项可用其功率谱密度与带宽的乘积来表示，得到： 即：只要计算出总串连电阻RΣ,则求得总噪声 均方值。 散弹噪声 PN结中，载流子的不规则随机运动，导致出现散弹噪声。散弹噪声和热噪声相同，都具有接近白色的频谱特性，其噪声电流的均方值为： 分配噪声 三极管中基区载流子复合率起伏变化，造成集电极电流和基极电流的分配有起伏，结果使得集电极电流相应变化。这种现象导致的噪声称为分配噪声，其电流均方值为： 其中Ic为集电极静态电流，a0为低频共基电流放大倍数。 由于 可知分配噪声主要分布在频率高于 fa 的地方，设计放大器时，应当采用fa高的管子。 闪烁噪声 由于半导体材料本身和制作工艺不完善，造成半导体表面少数载流子复合随机变化，表现为发射极电流起伏变化，称为闪烁噪声。其电流噪声谱密度与频率近似成反比，又称1/f 噪声。主要集中在低频（几千赫兹以下）。 热噪声 管子的基极电阻rbb’的热噪声，与一般的电阻噪声类似。 沟道热噪声 沟道中多数载流子的不规则热运动所导致的噪声。与电阻的热噪声相同。噪声电流均方值为： 其中gm为跨导。折合到栅极的噪声电压均方值为： 栅极感应噪声 沟道热噪声通过栅极电容耦合到栅极上的噪声。其值随频率增加而增加。 闪烁噪声 同样是由于半导体材料和制作工艺上的缺陷造成的噪声。 一般来讲，场效应管的噪声要小于晶体管的噪声。 有噪电路 无噪电路 讨论： 1. 由于系统内部不可避免地存在噪声，输出信噪比必然小于输入信噪比，故必有NF1。 2. Dpno是系统内部噪声造成的输出噪声，由于系统内部噪声通常不是白色的，不能简单地只用带宽B来表示，还与系统的频率特性有关，因此： (a)定义点频上的NF，按每单位频带内的噪声功率定义。 (b)对于整个频带内的噪声系数，可用等效噪声带宽来定义。 3. NF与输入信号无关，但与输入噪声功率有关，为保证唯一性，规