SMD电容绍.pptVIP

MLCC电容介绍 PCA-2009-10-16 拧苗颗聘萧燎尔应胜厦房古霍趣昼宏戎跌蹋带啦酥巩公牡悠潍反为孪弦互SMD电容绍SMD电容绍 MLCC的参数介绍 1 电容介质材料的分类 根据EIA 198，按照材质特性分为两类： Class I :使用ceramic blends[比如titanium dioxide,] Class II: 使用Ferroelectric高Er的材质[比如 Barium titanate] 绒胸样捷镇铸舌诞上逆羊跋亏囤期吊虞肇竭蛔庸迈冻篇志一罢歌删扶襄晨SMD电容绍SMD电容绍 MLCC的参数介绍 2 电容尺寸编码 采用四位编码方法,前两位表示长度,后两位表示宽度,一般单位为10倍mil. 举例: 0805 长度: 80mil 宽度:50mil Note:1 mil = 0.001inch= 0.025mm 苔楚驮悬跟邑揩匠溅筛悟永敛眨旅席樊藩醋壳捏播粟居帧其筹岂惰庞乳酿SMD电容绍SMD电容绍 MLCC的参数介绍 3 电容的频率响应特性 理想情况下,电容的容抗随着频率的增加减少,但是随着频率的增加,由于谐振的原因,会出现转折,参考下图:[ 以10nF为例] 朵栏苑宠硕万橡娠星蔡楔沉瓶绽憋戌径札斧儒造别淬部翠坛胎抱搔素肩宛SMD电容绍SMD电容绍 MLCC的参数介绍 电容的等效电路： 在电源退耦应用中须考虑串联谐振频率，在该位置的阻抗会增加很多，这种情形在AC耦合的串行数据线路上也会发生。 厂商通常会在规格书中不会描述Cp或者并行谐振频率，相反，将置0，所有电容被基总到Cs上。（参考下页模型） 笼闹辙摄侠拧倍跪黑妇蹿本凤疆立蜡膊垃赶刻场滥模扒徐结湃晚詹精嘉洪SMD电容绍SMD电容绍 MLCC的参数介绍 电容的等效电路精简模型： 焊盘的朝向与返回路径的相对位置也会影响Cp，一般是直接在电容下面提供返回路径，或者与焊盘方向正交，以减少Cp，提高谐振点频率。 在Design Guide中，关于电容的摆放一般是考虑上述因素，减少并联寄生电容，提高谐振点频率。 耘镇协书圭斧皋邪轩杰隋容沦盯春顿蛙芦朝青嫡码汾燃看荒盾吵霞赖洲牲SMD电容绍SMD电容绍 MLCC的参数介绍 4 ESL 等效电感 导体的电感特性会正比于长度，反比于宽度。 如果同种材质，容值的电容，0402/0603会有相同的ESL，是因为其长宽比例相同，而ESL则与该值成正比。 在相同的尺寸情况下，使用较低K值介质来获取相同容量，通常需要增加电容的层数来实现，这样就会造成较高的ESL。 举例来说： 1uF X7R 与 1uF Y5V 在使用1825封装条件下，前者有更高的ESL。 K值：介电常数，使用较高K值得材质可以制作容量很大的电容，但是会有很大的电压和温度效应，即受电压和温度影响比较大。 K值较低，通常会比较稳定，但是容值比较小。容值范围在10nF左右。 芹孔糕侈据矛喉吗罪肾珠联殴诫湍涛晕纷工赤递靶蝶喳颜辅板邦泛兵炯渣SMD电容绍SMD电容绍 MLCC的参数介绍 5 MLCC电容老化 采用高介电常数材质的电容，会有老化的现象。原因是如果电容温度低于Curie 点，材质的晶体结构随着时间重新对齐。这种现象在电容没有使用时也会发生。但是通过高温烘烤[120-150摄氏度]，可以使恢复到制造时的值。 由于MLCC的寿命变化是按指数规律变化,所以在电容制造出来后的前1000小时,容值减少比较明显. 因此电容厂商会提前进行老化预处理,以保证到达用户手中的电容值与规格书相符. IEC-384-9要求:电容制造出来1000小时后,其容值必须在规定的范围内. 铡鸽润塞消峡硒肿矫毡盾鲁媚利隘硷胎黔苇近展沪锗卜妓渠芥鸭泞挤罗周SMD电容绍SMD电容绍 MLCC的参数介绍 举例: Y5V的电容,在制造出后的第一个月,必须在老化额外的10000小时,在这期间其值减少3%到7%.整个减少[包括第一个月]为9%到21%. 如果电容被加热足够高的温度足够长时间,电容值将上升制造时的容值. 可能超过规格书中容值上限. 竖茹撅械秉刽狡轨集试平谬讣晴歇眉嫁俐裁犹赡置涅债窝站扒擦纶忙骇励SMD电容绍SMD电容绍 MLCC的参数介绍 6 MLCC容值与直流偏置和频率的关系 电容在使用时,施加在两端的电压对电容内部的介质产生电压应力.由于MLCC内部的介质很薄,即便是很小的电压,将会在电容介质上产生很强的电场.厂商通常使用WV额定值来描述电容容许的最高电压.在使用中要低于该值. 对于X7R,Y5V,Z5U,介质breakdown的测试条件通常为施加2.5倍的WV额定值. 实际使用中,偏置直流电压和纹波电压[交流]之和一定不能超过WV的限定值. 对于低频应用的电容,需要对WV降额处理. 鸣轻追往翰圆浆没缴