《半导体物》实验指导书(2009年版).docVIP

半 导 体 物 理 实 验 指 导 书 实 验 指 导 书 信息工程学院电子科学与技术教研室2009 信息工程学院电子科学与技术教研室 2009 目 录 实验一：霍尔效应 ………………………………………………… 1 实验二：四探针法测量半导体电阻率及薄层电阻 ……………… 6 实验三：椭偏法测薄膜厚度和折射率 …………………………… 9 附录A:《RTS-8型双电测四探针测试仪用户手册》……………11 附录B:《WJZ/WJZ-Ⅱ型多功能激光椭圆偏振仪使用手册》… 30 实验一 霍尔效应 一、实验目的 1. 了解霍尔器材对材料要求的知识； 2. 学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量试样的曲线； 3. 学会确定试样的导电类型，载流子浓度以及电导率。 二、仪器设备 QS-H型霍尔效应实验组合仪 三、实验原理 1. 导体材料霍尔系数的确定 由霍尔电压与磁感应强度B的关系，知，只要测出以及知道、B和d，可计算出霍尔系数 （1） 2. 导体材料导电类型的确定 若实验中能测出、B的方向，就可判断的正负，决定霍尔系数的正负，从而判断出半导体的导电类型。当时，样品属N型（载流子为电子），反之则为P型（载流子为空穴）。 3. 导体材料载流子浓度的确定 由霍尔系数，可得 （2） 如果知道、、B，就可确定该材料的载流子浓度。根据电导率与载流子浓度n以及迁移率之间的关系知，通过实验测出值即可求出 （3） 4. 霍尔组件对材料的要求 根据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系数大（即迁移率高、电阻率亦较高）的材料。因，就金属导体而言，和均很低，而不良导体虽高，但极小，因而上述两种材料的霍尔系数都很小，不能用来制造霍尔组件。半导体高，适中，是制造霍尔元件较理想的材料，由于电子的迁移率比空穴的迁移率大，所以霍尔元件都采用N型材料，其次霍尔电压的大小与材料的厚度成反比，因此薄膜型的霍尔组件的输出电压较片状要高得多。 5. 实验中的副效应及其消除方法 在产生霍尔效应的同时，还存在一些与温度、电极与半导体接触处的接触电阻有关的效应，这些效应也会在霍尔元件的上下侧面产生电位差。这种不是霍尔效应产生的电位差的存在将影响测量结果的准确性，实验时应当设法消除。本实验主要影响来自不等势电压，如图1所示，当电流流过霍尔元件时，沿电流方向电位逐渐降低。设图中平行线为一系列等位线。如果两个电极引出线没有焊接在同一等位线上，这两个电极引出线间便存在电位差，称为不等势电位。显然，不等势电位的正负极性随电流的方向的不同而改变，与磁场无关。 ISAA，VHVH等势面图1 不等势电位产生机理图示除外还存在由于热电效应和热磁效应所引起的各种副效应，这些副效应均可通过改变 IS A A， VH VH 等势面 图1 不等势电位产生机理图示 +B，+ ； -B + -B，- ； +B，- 然后取平均值得 （4） 这种消除伴随效应的方法，是消除系统误差的一种方法，采取这种措施后可以使测量准确度提高一个数量级。 6. 实验装置简介 QS—H型霍尔效应实验组合仪由实验装置和测试仪两大部分组成。 A、螺线管实验装置（图2所示） 1）电磁铁 磁铁线包的引线有星标者为头，线包绕向为顺时针，根据线包绕向及励磁电流的关系标明在线包上。 2）样品和样品架 样品材料为N型半导体硅单芯片，样品的几何尺寸为：厚度，宽度，A、C电极间距。 样品共有三对电极，其中A、或C、用于测量霍尔电压；A、C或、用于测量传导电压；D、E为样品工作电流电极。样品架具有X、Y调节功能及读数装置。 3）和换向开关及、切换开关。 VH输出IS输入IM输入霍尔元件IM输入Y方向调节螺丝探杆励磁线圈X方向调节螺丝图2 实验仪装置示意图及 VH输出 IS输入 IM输入 霍尔元件 IM输入 Y方向调节螺丝 探杆 励磁线圈 X方向调节螺丝 图2 实验仪装置示意图 B、测试仪（图3所示） 1）“输出”为0～10样品工作电流源，“输出”为0～1A励磁电流源，两路输出电流大小通过调节旋钮及调节旋钮进行调节，其值可通过“测量选择”按键由同一只数字电流表进行测量，按键测，放键测。 2）直流数字电压表 和通过功能切换开关由同一只数字电压表进行测量。电压表零位可通过调零电位器进行调整。当显示器的数字前出现“一”号时，表示被测电压极性为负值。 调零IS 调零 IS输出 IM输出 IS调节 IM调节