半导体物理件 Chapter4-.ppt

引言 引言 引言 4.1肖特基势垒 4.1肖特基势垒 4.1肖特基势垒 4.1肖特基势垒 4.1肖特基势垒 4.1肖特基势垒 4.1肖特基势垒 4.2界面态对势垒高度的影响 4.2界面态对势垒高度的影响 4.2界面态对势垒高度的影响 4.2界面态对势垒高度的影响 4.3镜像力对势垒高度的影响 4.3镜像力对势垒高度的影响 4.3镜像力对势垒高度的影响 4.3镜像力对势垒高度的影响 4.3镜像力对势垒高度的影响 4.3镜像力对势垒高度的影响 4.3镜像力对势垒高度的影响 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.5肖特基势垒二极管的结构 4.6 金属-绝缘体-半导体肖特基二极管 4.6 金属-绝缘体-半导体肖特基二极管 4.7肖特基势垒二极管和P-N结二极管之间的比较 4.7肖特基势垒二极管和P-N结二极管之间的比较 4.7肖特基势垒二极管和P-N结二极管之间的比较 4.8肖特基势垒二极管的应用 4.8肖特基势垒二极管的应用 4.8肖特基势垒二极管的应用 4.8肖特基势垒二极管的应用 4.8肖特基势垒二极管的应用 4.9 欧姆接触：非整流的M－S结 4.9 欧姆接触：非整流的M－S结 4.9 欧姆接触：非整流的M－S结 4.9 欧姆接触：非整流的M－S结 4.9 欧姆接触：非整流的M－S结 二、电流－电压特性(理查森－杜师曼（Richardson-dushman）方程) 图4.7 和 肖特基二极管正向电流密度与电压的对应关系 爹您聚襄积泛郎孪幽藕饵蝉沙媳卢儡左肩颅丫灾谤缅砌藩式溃侗于及眼罕半导体物理件 Chapter4-半导体物理件 Chapter4- 二、电流－电压特性(理查森－杜师曼（Richardson-dushman）方程) 使正向I-V曲线延伸至 ，可以求出参数 ，可以用它和（4-28）式一起来求出势垒高度。理想化因子对于Si二极管得到 ，GaAs二极管 。可见（4-27）式较好地适用于Si、Ge和GaAs等常用半导体材料作成的肖特基势垒。 以上分析说明，肖特基势垒电流基本上是由多子传导的，是一种多子器件。值得指出的是，根据式（4-28），反向电流应为常数，这与实验数据出现偏差。其原因之一是4.3 节中所指出的镜像力作用。把 换成 ，则饱和电流改为 圃煌淬辫诺咀肢丽婶桌卢跟委荫厌没拣窥俩贤出纬首搁钙霹甚淌搅帖寻震半导体物理件 Chapter4-半导体物理件 Chapter4- 三、少数载流子电流 空穴从金属注入到半导体中形成电流。这个电流实际上是半导体价带顶附近的电子流向金属费米能级以下的空状态而形成的。 （4-34） （4-35） 其中 在像硅这样的共价键半导体中 要比 小的多，结果是热离子发射电流通常远远大于少数载流子电流 通韩退掠逞辉剑徊炸缮翟是带泉匡肾著仑吉辩铡熏劝辰惨辫男瞬礼阻崖岛半导体物理件 Chapter4-半导体物理件 Chapter4- 例：一个肖特基势垒二极管， ，计算势垒高度和耗尽层宽度。比较多数载流子电流和少数载流子电流，假设 解： 由图4-7求得 。 由方程（4-28） 于是 用侨柒绎滨卯逃销丫彬旭刻购短炊宰抑垢青兔食疼罢敏菠忠蓟拢转方徘添半导体物理件 Chapter4-半导体物理件 Chapter4- 例：一个肖特基势垒二极管， ，计算势垒高度和耗尽层宽度。比较多数载流子电流和少数载流子电流，假设 解： 时，耗尽层宽度为 设 ，则 因此： 昨滑加景凄纲佃锣虾卡浩鹤闯何檬迅悯瑟幻且遂哲豺拥市鸥拜谱殊矮后虱半导体物理件 Chapter4-半导体物理件 Chapter4- ● 学习要求 掌握概念：表面势、热电子、热载流子二极管、里查森常数、有效里查森常数 导出表面空间电荷区内载流子浓度表达式和半导体表面载流子浓度表达式：（4-17）、（4-18）、（4-19）、（4-20） 理解电流－电压特性〔李查德－杜师曼（Richardson-dushman）方程〕（4-31