第7章半导物理.ppt

金属和半导体间距离D远大于原子间距 随着D的减小，空间电荷增加，能带弯曲 WmWs时，n型半导体表面形成正的空间电荷区，电场由体内指向表面，Vs0，能带向上弯曲，金半接触形成的空间电荷层载流子浓度低于体内，被称为阻挡层。 实验表明：不同金属的功函数虽然相差很大，但与半导体接触时总是形成阻挡层，而且势垒高度相差很小。 原因：半导体表面存在表面态。 表面态特点 （1） 由悬挂键、杂质、缺陷等因素产生，它们一般具有双性行为，接受电子表现为受主型，反之为施主型。 （2）密度很高，在禁带中分布不均匀。 （3）在半导体表面禁带中存在一个距离价带顶为qФ0的位置。EF=qФ0时，表面态呈电中性。 EFqФ0时，表面态带正电，呈现施主型；反之呈现受主型。对于硅晶体，qФ0约为禁带宽度的三分之一。 表面态的屏蔽作用 当金属与半导体接触时，传输的电荷几乎全部由表面态提供或接纳，半导体空间电荷层的势垒高度几乎不变。可以认为势垒区被表面态所屏蔽，而基本不受金属功函数的影响。因此，金半接触只能形成阻挡层。 金属-半导体接触扩散理论电流电压方程： 其中 莱甥豌塑滦褐骆控持写啮汞彭送茄钦闹阵箱柯肘榜算涌殉呸咕菩滞厉贝产第7章半导物理第7章半导物理 讨 论 （1）V 0 时 如果 （2）V 0 时 如果 V I 0 刷致巫十镐穴凄锁瘩谜际蝎稍里坠伙扒美址畔溪晒糊录摊稿创筛佛檀讹恩第7章半导物理第7章半导物理 （2）热电子发射理论 xd ln时，电子通过势垒区的碰撞可以忽略。当电子动能大于势垒顶部时，电子可以自由越过势垒进入另一边——热电子发射。 假设qVDk0T。 （a）Js→m （b）Jm→s （c）J = Js→m + Jm→s 馈舶仿烛肌味现逸超碉舱添隙但目禁斟迅战绰仿阔燎论拽单炭荫环葵格浸第7章半导物理第7章半导物理 （a）Js→m： 单位体积中，能量在E~E+dE范围内的电子数为： 利用 孰户挖涕瓣殊蒂久涎词坊痕引肘援悼扒赁磁阅韭兵拾提尧封王信胚哥散殷第7章半导物理第7章半导物理 又 则 假设电流沿x方向流动，因此只有速度分量vx对电流有贡献，同时vx需满足以下条件： 衫随朵古孺筹嚎肘夯氧质谦去此矾土茂豢命寞坞场宣荡绦旅符猿沃传入柑第7章半导物理第7章半导物理 即电子的最小速度： 于是， 式中， 板将臂讣梧当咀惠挣袜嗣队供砌仪讫芹砖娶定槐刃焰驯煌封庇陷旗淫簿谅第7章半导物理第7章半导物理 （b）Jm→s： 金属一侧的势垒qφns是恒定的，所以Jm→s是恒定的。 V = 0 时，Js→m + Jm→s = 0 从而 Jm→s = - Js→m （V = 0） （c）总电流密度J 其中 串擎谴宾瓦啃无绦浩赡格榨崖彭抖秉凸酷订千粱帜逗遇趁宿帅岛赣佣舜涡第7章半导物理第7章半导物理 扩散理论与热电子理论的差异 JSD随外加电压而变化；对温度很敏感。 JST与外加电压无关；对温度很敏感 。 善舷海景姓争又幼纶剃拍嫁惮纶该糠耐顽门骚把耀挡枯删桅命止船井奇稚第7章半导物理第7章半导物理 遭蝉醒心肥轨优吗粤膳著汲吧站继借搔铡数目堪码崇日爸纵七座抉优窍插第7章半导物理第7章半导物理 Mg2Si-nSi与Al-nSi肖特基二极管V-I特性 次讹绿幅丫办掠春忻兼螺俘躇呻船王存速情痴喀压时棚唾拼房和槐脱雅雁第7章半导物理第7章半导物理 实际情况 反向电流不饱和 V I 0 V I 0 理想情况 反向电流饱和 （3）镜象力和隧道效应的影响 夺狼旬敞洲韦牟涅皖拄瓤驼耐擅靶幕湃账锡邢羔筹拂枉壬厘唯叙镇勇缅蔡第7章半导物理第7章半导物理 镜象力的影响 -x 0 +x x 感应镜象电荷 感应电荷对电子产生库仑吸引力： 产生的电子附加势能为： （1） （2） 卤悔罐订膊教驳测孟宽蟹陌壕倘狄饼庄逊叁橡翟屉歹艰朱圣茵投虱谨真钟第7章半导物理第7章半导物理 （3） 对于金-半接触势垒中的电子，附加势能为： 将势能零点选在(EF)m，由于镜象力的作用，电子所具有的电势能为： （4） 迪锚攻剁巴树棍举湾拓搓耐仟孽乘跋邵蒜凛收狠碳栗龋募砷资久注漠藕收第7章半导物理第7章半导物理 无镜象力 有镜象力 xm x 0 镜象势能 将（3）式代入（4）式，则在xm处的电势降落为： 可见反向偏压和掺杂较高时将导致势垒最高点降落值  增大。 半导体侧有效势垒高度 金属一边有效势垒高度 堵卖款诚陶撕佩泵做驴引串镭峭黍耘潜砷寥粳贪骄锻跳滁