赵春武毕业文开题报告.docVIP

苏州科技学院毕业论文开题报告论文题目 磁控溅射法制备NiCr 薄膜 院 系 数理学院 专 业 应用物理学系 学生姓名 赵春武 学 号 0920112208 指导教师 沈娇艳 2013年 月 日 1．研究的背景、目的及意义背景：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。目地：本文应用磁控溅射法制备不同制备条件下的NiCr薄膜并研究其物理性能。意义：磁控溅射技术的出现很好地满足了半导体器件多层复台金属膜的需求，形成了良好的欧姆接触、整流接触，大大地提高了器件的成品率．对降低器件成本起到了极为重要的作用。此外磁控溅射镀膜工艺还具有沉积速率高，基材升温低，台阶覆盖好、膜层均匀、致密、纯度高、附着力强、应用靶材广、工作稳定等显著特点，而且产量可大可小，并能按用户要求加工所需的数量和质量，灵活性太，生命力强，这是其它方法所不及的。所以溅射镀膜技术电路金属化的主流技术。沉积速率不仅是衡量镀膜设备性能的一项重要指标，而且还对薄膜的特性，如牢固度、薄膜应力、电阻率、薄膜硬度、表面光洁度、表面形貌以及薄膜的微观结构等有着很大的影响。2．主要研究内容和预期目标 研究内容：本文应用磁控溅射法制备NiCr薄膜，并通过原子力显微镜，ALPHA-SETP500 型台阶仪，Typ-2椭圆偏振仪对NiCr薄膜的表面形貌、成膜速率、复折射率进行研究。分析工作气压、基片温度及溅射功率等制备工艺参数对薄膜性能和结构的影响。任务要求：了解离子束溅射原理，离子束溅射生长NiCr薄膜生长机理。掌握影薄膜生长机理响NiCr，生长的薄膜致密性，和电性能的参数。熟悉离子束溅射的相关仪器；能够熟练掌握离子束溅射镀膜镀膜机操作规程，并且能够实际操作仪器。掌握椭圆偏振仪薄膜复折射率的方法原理；熟练操作原子力学显微镜测试薄膜的薄膜形貌；熟悉Origin或Matlab分析实验数据等。培养综合运用专业及基础知识，解决实际工程技术的能力。具有工作过程的评价能力。3．拟采用的研究方法、步骤1．研究在磁控溅射方法下不同工艺参数与NiCr膜层光学性能的关系是贯穿本次研究工作的一个重要的研究思路。认真的配置各实验参数，进行NiCr薄膜的镀制具体的研究 2．技术路线及措施技术的路线及措施技术路线及措施技术路线及措施 掌握反应磁控溅射离子源及反应离子束溅射离子源的工作性能，然后通过实验确定离子源的最佳工艺参数。选择最佳的工艺参数镀制NiCr薄膜，最后分析膜层性能，每次溅射前，都预先在纯Ar气体中放电3min左右，以除去靶材表面杂质物，当观察到靶表面的辉光放电颜色由粉红色变成紫红色时，或电压稳定于一个固定值时，表明杂质物已经被除去；溅射时，氩气和氧气分别以一定的流量通入在一定的真空度中。 3.具体工作如下： (1) 根据大量实验，不断改善离子源工作性能，确定离子源的最佳工艺参数； (2) 分析不同工艺参数对膜层的性能影响，然后科学的设计实验，确定NiCr调研不同方法下制备NiCr薄膜 反应磁控溅射 检测NiCr薄膜光学特性 折射率 消光系数 薄膜厚度 反射率 表面粗糙度 红外特性 分析两种镀制方法和不同参数下NiCr膜层的光学性能 比较反应磁控溅射和反应离子束溅射方法制备NiCr薄膜优缺点。4．主要参考文献徐万劲. 磁控溅射技术发展与应用[J]，现代仪器，2005, 5, 1-5芦家和, 陈长彦等. 表面分析技术[M], 北京：电子工业出版社, 1987陈荣发. 电子束蒸发与磁控溅射镀铝的性能分析研究[J], 真空, 2003, 2:11-15M.Yehya，P.J.Kelly. Novel enhanced magnetron sputtering systerm [J], Surface Engineering,2004，20（3）：177-180余东海，王成勇，成晓玲，宋月贤. 磁控溅射镀膜技术的发展[J], 真空, 2009, 46(2):19-25Syrrakou E, Papaefthimiou S,