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一 定义：真空是指压强低于一个大气压的气体状态。粗真空105~102Pa、低真空102~ 10-1Pa、高真空10-1~ 10-6Pa、超高真空?10-6Pa。 1 Torr=1mmHg 1 Torr=1.33324 ×102 Pa 1bar=105Pa 平均自由程：气体分子在连续两次碰撞之间自由通过的路程的统计平均值： 真空体系包括：真空容器、真空泵、真空计。 前级泵：能使压力从一个标准大气压开始变小进行排气的泵。次级泵：只能从较低压力抽到更低压力的泵。 扩散泵：利用被抽气体向蒸汽流扩散的现象来实现排气作用。分子泵：无油系统，易获得10－8Torr高真空。机械泵：噪声小，运行速度高。工作过程： 吸气—压缩—排气。罗茨泵：转子与泵体、转子与转子之间保持一不大的间隙，缝隙不需要润滑和密封。 1）低真空阶段以机械泵为主（旋转、气体压缩） 2）中、高真空阶段以扩散泵/分子泵为主 真空的测量：①热偶真空计；②电离真空计。 薄膜定义：薄膜是生长在基片之上，厚度在亚微米以下，具有一定功能的材料。 薄膜特点：（1）、薄膜材料属于介观范畴，具有量子尺寸效应；（2）、薄膜表面积与体积之比很大，表面能级很大，对膜内电子输运影响很大；（3）、薄膜界面态复杂，力学因素和电学因素交相作用，内应力和量子隧穿效应同时存在，对薄膜生长和微结构影响巨大；（4）、异常结构和非理想化学计量比特性明显；（5）、可实行多层膜复合，如超晶格。 制备薄膜为什么需要真空环境：a. 非真空，蒸汽分子不能沿直线运动，不易成膜b. 非真空，成膜物质与空气中活性分子反应，形成化合物。即生成另外物质，如Al膜氧化成Al2O3c. 非真空，蒸发器（加热器）极易损坏，加热器采用W.M。Ta等难熔金属，但由于吸气效应产生脆性（氢脆），另外由于生成化合物易损坏。d.非真空，残余气体分子将进入膜层形成缺陷或化合物，影响膜的质量。e.非真空，影响靶材料气化。f.非真空， 改变基片表面状态，影响薄膜生长 二 真空蒸发镀膜法：在真空室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到固体（称为衬底或基片）表面，凝结形成固态薄膜的方法。 真空蒸发镀膜的三种基本过程：(1)加热蒸发过程：是由凝聚相转变为气相（固相或液相→气相）的相变过程。(2)气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运，即这些粒子在环境气氛中的飞行过程。(3)蒸发原子或分子在基片表面上的淀积过程，即是蒸气凝聚、成核、核生长、形成连续薄膜。 真空蒸发镀膜法的优缺点：优点：是设备比较简单、操作容易；制成的薄膜纯 度高、质量好，厚度可较准确控制；成膜速率快、效率高，用掩膜可以获得清晰图形；薄膜的生长机理比较单纯。缺点：不容易获得结晶结构的薄膜，所形成薄膜在基 板上的附着力较小，工艺重复性不够好等。 饱和蒸汽压：一定温度下，真空室内蒸发物质的蒸气与固体或液体平衡过程中所表现的压力称为该物质的饱和蒸气压。饱和蒸汽压随温度随温度升高而迅速增加。 常见的蒸发源：点蒸发源、小平面蒸发源。点蒸发源：通常将能够从各个方向蒸发等量材料的微小球状蒸发源称为点蒸发源（简称点源）。小平面蒸发源：蒸发源的发射特性具有方向性，使在θ角方向蒸发的材料质量和cosθ成正比例，即遵从所谓余弦角度分布规律。 蒸发源类型：电阻蒸发源、电子束蒸发源、高频感应蒸发源 。 瞬时蒸发法：它是将细小的颗粒，逐次送到非常炽热的蒸发器或坩埚中，使一个一个的颗粒实现瞬间完全蒸发。优点 ：能获得成分均匀的薄膜，可以进行掺杂蒸发等。缺点：是蒸发速率难于控制，且蒸发速率不能太快。 三 1、溅射：是指荷能粒子轰击固体表面（靶），使固体原子（或分子）从表面射出的现象。 2、与真空蒸发镀膜相比，溅射镀膜有如下的优点：（1）任何物质均可以溅射，尤其是高熔点、低蒸汽压元素和化合物。（2）溅射膜与基板之间的附着性好。（3）溅射镀膜密度高，针孔少，且膜层的纯度较高。（4）膜层可控性和重复性好。缺点：（1）溅射设备复杂、需要高压装置；（2）溅射淀积的成膜速度低，真空蒸镀淀积速率为0.1～5μm/min，而溅射速率为0.01～0.5μm/min；（3）基板温升较高和易受杂质气体影响。 3、溅射镀膜的溅射过程是建立在辉光放电基础上。一、直流辉光放电：辉光放电是在真空度约为10～1Pa的稀薄气体中，两个电极之间加上电压时产生的一种放电现象。特点：（1）电子和正离子是来源于电子的碰撞和正离子的轰击，即使自然游离源不存在，导电也将继续下去。（2）维持辉光放电的电压较低，且不变 。（3）电流的增大与电压无关，只与阴极板上产生辉光的表面积有关。（4）正常辉光放电的电流密度与阴极材料和气体的种类有关。 辉光放电图：无光放电(AB区域 )、汤森放电区（BC区 ）、过渡区 （CD