任务书_查俊-1.docVIP

附件一 毕业设计（论文）任务书 设计（论文）题目 金属基表面SiC薄膜的制备和性能研究 学院名称 电子科学与应用物理学院 专 业 （班 级） 微电子学07-2班 姓 名 （学 号） 查 俊 指 导 教 师 何 晓 雄 系（教研室）负责人 一、毕业设计（论文）的主要内容及要求（任务及背景、工具环境、成果形式、着重培养的能力） 背景： 碳化硅是一种宽带系半导体，其优质的性能使其在高温，高频，大功率，抗辐射的微电子及光电子器件方面有着重要的应用 本研究是钢基表面SiC薄膜的制备和性能的基础研究，并且以毕业论文形式。 关键设计： 解决在金属基表面SiC薄膜的制备问题以及对磁控溅射仪器的使用。 利用X射线，红外分析，薄膜的SEM 形貌分析等方法实现对制备的SiC薄膜的性能研究。 二、应收集的资料及主要参考文献 三、毕业设计（论文）进度计划 起 迄 日 期 工 作 内 容 备 注 开 题 报 告 （该表格由学生独立完成) 建议填写以下内容：1.简述课题的作用、意义，在国内外的研究现状和发展趋势，尚待研究的问题。2.重点介绍完成任务的可能思路和方案；3.需要的主要仪器和设备等；4.主要参考文献。 背景：近年来, 随着硅工艺技术的发展与成熟, 人们对基于硅工艺器件研究也越来越多并取得了许多成果[ 1, 2] 随着微电子技术的迅速发展, 在雷达、航空、航天等领域内, 迫切需求具有抗辐射、耐高温、高频、大功率器件的电子设备. 一种极具发展潜力和广泛应用前景的新型宽带半导体材料碳化硅( SiC) 以其优异的性能受到人们广泛的关注[ 3, 4] 碳化硅是一种宽带系半导体，其优质的性能使其在高温，高频，大功率，抗辐射的微电子及光电子器件方面有着重要的应用 宽带隙半导体已成为制作短波光电子器件的重要材料, 也正是这种迫切需求不断地推动SiC 器件的研究与发展[ 5] . 目前, SiC 薄膜在制备[ 6, 7] 、应用[ 8] 等方面的研究已经取得了较大的进展, 但是, 异质制备高质量的SiC 薄膜在工艺上仍较难控制, 并且一般是在高温下沉积. 要使SiC 薄膜在微电子、半导体等领域得到广泛的应用, 在低温下制备大面积高质量的SiC 薄膜是关键的一步[ 9] 。 本课题是基于在金属基表面制备SiC薄膜。并对制备的薄膜进行相应的测试分析。 设计方案： 对于SiC薄膜的制备有很多种方法：物理气相沉积、化学气相沉积以及等离子体化学气相沉积和光增强化学气相沉积法。此处金属基选定钢基，在钢基表面镀SiC薄膜，使碳化硅（SiC）薄膜成为惰性表面。 由于是以钢基为衬底，如果在钢基表面直接镀SiC薄膜，因为两者的化合价不同，且价键结构也不甚相同，导致钢的膨胀系数与碳化硅有很大的差异。所以直接镀膜会出现表面结构不致密的情况。 所以选择采用两步法制备双层膜，两步法在较低温度下(射频500℃)在钢表面制备出了晶态的SiC薄膜。 在缓冲膜的选择上，选用Si.首先在钢基表面镀Si,再在这个基础上镀SiC薄膜。一方面Si的价键结构与SiC相似，为六面晶格结构，膨胀系数相似，不会出现镀膜表面结构不致密的问题。另一方面，利用溅射反应，在氧气的情况下，镀到钢基上的Si反应变成SiO2.形成惰性表面，在此表面再镀SiC薄膜。完成在钢基表面镀SiC薄膜的过程。 参考资料：[ 1] 李 静, 赵玉周, 林旭彬, 等. Si 基SiGe 光波导开关的研究现状与最新进展[ J ] . 半导体光电, 2004,25( 6) : 417-425. [ 2] 裴立宅, 唐元洪, 陈扬文, 等. 硅纳米线纳米电子器件及其制备技术[ J] . 电子元件与材料, 2004, 23( 10) :44-47. [ 3] 李晋闽. SiC 材料及器件研制的进展[ J] . 物理, 2000, 29( 8) : 481-487. [ 4] Baek Yunho, Ryu YongHwan, Yong Kijung. Stru