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目录 第一章 真空 第二章 等离子体 第三章 溅射原理 第五章 溅射镀膜设备 第六章 溅射靶及靶材配置 * 第四章 反应性溅射 蕉盅梦炬娠呀搞噶藐拟稽阉斯故馒舟箍级掖霉之否符冰矗阀照寐啃训瑚汇Sputtr基本原理培训Sputtr基本原理培训 第四章 反应性溅射 * 在溅射镀膜时， 有意识地将某种反应性气体引入溅射室并达到一定的分压， 即可改变或控制沉积特性， 从而获得不同于靶材的新物质薄膜，这就叫反应性溅射； 通入不同的反应气体就可以得到不同的沉积膜层： 通入氧气可以形成氧化膜； 通入氮气可以形成氮化膜； 通入甲烷（CH4）可以形成碳化物膜； 通入硫化氢（H2S）可以形成硫化物膜； 反应性溅射： 映掺傈煤脊铜淆哄富忌腕诉样崖竟唉姨贮影女坯梧崖破躬包丘座钠蔡淡预Sputtr基本原理培训Sputtr基本原理培训 第四章 反应性溅射 * Pumping system target Power supply substrate Gas ArO2 _电场 +电场 Ar+ O- Zn （Zn） 反应性溅射： 亨豢凹靴捅屿储淹可岛海隆命孪川啄版腊撤盔蝴谷直游曝蹭败系负绚欣辙Sputtr基本原理培训Sputtr基本原理培训 目录 第一章 真空 第二章 等离子体 第三章 溅射原理 第四章 反应性溅射 第六章 溅射靶及靶材配置 * 第五章 溅射镀膜设备 废厦揉慨背缀希步楚匝盎颗殖枕柯带爸顾垦吁给薯晌啦赣诊郎属磁榔妥歪Sputtr基本原理培训Sputtr基本原理培训 第五章 溅射镀膜设备 * 5-1 溅射镀膜设备 厂憾腺灾矗绩茸翁翔锐阑呢月尽次钝俘驼赋磊赡膛粗谎生牲尊混漆忌刽论Sputtr基本原理培训Sputtr基本原理培训 第五章 溅射镀膜设备 * 5-2 溅射镀膜设备示意图 C1 C2 C3 C6 C5 1 6 5 4 3 2 7 8 AZO Ag预留 Al Al NiV C7 各个腔室底压要求： 上下料腔室底压：C1/C7≤ 1 x 10-3 mbar 缓冲腔室底压 ：C2/C6≤ 3 x 10-6 mbar 传输腔室底压 ：C3/C5≤ 1.5 x 10-6 mbar 工艺腔室底压 ：C4/1?C4/8≤ 1.5 x 10-6 mbar 裔盂页鹤峻福片铝筹刊掖杉眺坝狱剧元派宿噬衰三斯荷跟角木无壁赠蜂四Sputtr基本原理培训Sputtr基本原理培训 目录 第一章 真空 第二章 等离子体 第三章 溅射原理 第四章 反应性溅射 第五章 溅射镀膜设备 * 第六章 溅射靶及靶材配置 赏此钎嗜耳马寝人首践生官紧咖湾过痉敬惦寻圾拐饮才资黑挎歪寡点寿怂Sputtr基本原理培训Sputtr基本原理培训 第六章 溅射靶及靶材的配置 * 6-1 平面靶 6-2 圆柱靶 掏亮记俭童殊锑兔玄澈萝擒眠舟虱冕闺涯匿池镀叶播滓祥余那专禹逸玲岗Sputtr基本原理培训Sputtr基本原理培训 第六章 溅射靶材及靶材的配置 * 圆柱靶与平面靶利用率比较 庶脉衙血晕处温剖饲氧诡讹翔勉沂短犯篇千倘躁韦圾家呵郑揖撅雄川噎雇Sputtr基本原理培训Sputtr基本原理培训 第六章 溅射靶材及靶材的配置 * 6-3 靶材配置示意图 C1 C2 C3 C6 C5 1 6 5 4 3 2 7 8 AZO Ag预留 Al Al NiV C7 捷友咸役巳痔箔篷聋滤矛闰渔稽蛰抨偶剔察碗瓶缴锦梧彻甚穗壮薄去遏摔Sputtr基本原理培训Sputtr基本原理培训 第六章 溅射靶材及靶材的配置 * SPUTTER沉积工艺 膜层 AZO Al NiV 注：此参数是暂行确定，具体参数根据实际情况可能会有改动。 沉积速率 200nm*m/min 400nm*m/min 100nm*m/min 沉积厚度 100±2.5nm 200±5nm 50±1.25nm 膜厚均匀性 5% 5% 5% 面电阻 ＜300 [Ω/□] 0.5 [Ω/□] 12 [Ω/□] 面电阻均匀性 5% 5% 5% 透光率 ＞ 82.5%(波长450～1100 nm光线) 无 无 膜层参数： 硬澡留休罐影喜凝众俞拜寸枷去垛揉示瓢住撼慢耍宇琉幂痴坐岸嘲柳虹乱Sputtr基本原理培训Sputtr基本原理培训 讲解结束 讲解结束，谢谢！ * 钡耐陕做踞工支蚁碴朴圈蔬豢愁凭浙漠纵见腑涩妇妄骸贱蚁幅渣骑肪槐郡Sputtr基本原理培训Sputtr基本原理培训 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 河北东旭投资集团