第6章 时变电磁场幻灯片.pptVIP

因为 有限而h→0，所以 如果分界面的薄层内有自由电流，则在回路所围的面积上， 综合以上三式得 b是任意单位矢量，且n×H与JS共面(均切于分界面)，所以 如果分界面处没有自由面电流，那么 由上式可以获得 6.2.2 两种特殊情况 1. 无源情况 矢量形式的边界条件为 它们相应的标量形式为 2.理想导体表面的边界条件 理想导体是指σ→∞，所以在理想导体内部不存在电场。此外，在时变条件下，理想导体内部也不存在磁场。故在时变条件下，理想导体内部不存在电磁场，即所有场量为零。设n是理想导体的外法向矢量，E、H、D、B为理想导体外部的电磁场，那么理想导体表面的边界条件为 例5设区域Ⅰ(z0)的媒质参数εr1=1, μr1=1, σ1=0；区域Ⅱ(z0)的媒质参数εr2=6, μr2=20, σ2=0。区域Ⅰ中的电场强度为 区域Ⅱ中的电场强度为 试求： (1) 常数A； (2) 磁场强度H1和H2； (3) 证明在z=0处H1和H2满足边界条件。 解：(1) 在无耗媒质的分界面z=0处， 有 由于E1和E2恰好为切向电场， (2) 根据麦克斯韦方程 有 所以 同理，可得 (3) 将z=0代入(2)中得 6.3 时变电磁场的能量与能流 假设电磁场在一有耗的导电媒质中，媒质的电导率为σ，电场会在此有耗导电媒质中引起传导电流J=σE。根据焦耳定律，在体积V内由于传导电流引起的功率损耗是 由麦克斯韦方程式 返回 利用矢量恒等式 * * 第六章 时 变 电 磁 场 6.1 麦克斯韦方程组 6 .2 时变电磁场的边界条件 6.3 时变电磁场的能量与能流 6.4 正弦电磁场 返回 6.1 麦克斯韦方程组的建立 6.1.1安培环路定律——麦克斯韦第一方程 1.安培环路定律 已知：无限长载流直导线周围的磁感应强度为： 引入一个新矢量 ，令 则： 矢量 称为磁场强度，单位为安培/米（A/m）。 安培环路定律： 在真空中，磁场强度沿任意回路的线积分，等于该回路所限定的曲面上穿过的总电流。 若积分回路中包含多个电流则： 2. 位移电流 传导电流连续是安培环路定律成立的前提。 位移电流的提出： 在电容器两极板间，由于电场随时间的变化而存在位移 电流，其数值等于流向正极板的传导电流。 如图： 穿过 的传导电流为 ，则： 穿过 的传导电流为 ，则： 矛盾？ S 平板电容器极板上的电荷： 位移电流的计算 传导电流： 位移电流： 位移电流密度： 引入一个新矢量 ，在真空中令 ， 则位移电流密度表示为： 某曲面上的位移电流： 电位移矢量 3. 全电流定律 引入位移电流之后，穿过 S 面的总电流为： 总电流密度为： 某曲面上全电流 I 为： 全电流定律： 该方程称为麦克斯韦第一方程。 该式的物理意义：它表明磁场不仅由传导电流产生，也能由 随时间变化的电场，即位移电流产生。 6.1.2 法拉第电磁感应定律——麦克斯韦第二方程 1. 法拉第电磁感应定律 磁场中的一个闭合导体回路的磁通量发生变化时，回路中就产生了感应电流，表示回路中感应了电动势，且感应电动势的大小正比于磁通对时间的变化率 。 数学表达式为： E 该闭合回路中的感应电动势为： 闭合回路中的磁通量为： 可得： 引起磁通变化的原因： (2) 闭合回路与恒定磁场之间存在相对运动,这时回路中的感 应电动势称为动生电动势。 (3) 既存在时变磁场又存在回路的相对运动，则总的感应电动 势为： (1) 闭合回路是静止的，但与之交链的磁场是随时间变化的，这是回路中产生的感应电动势称为感生电动势。 2. 法拉第电磁感应定律的推广 当空间某曲面内的磁通随时间变化时，意味着空间存在着感应电场，感应电场沿曲面边界的积分为该曲线上的感应电动势。 经麦克斯韦推广的电磁感应定律为： 该方程称为麦克斯韦第二方程。 该式说明：变化的磁场产生电场。即电场不仅由电荷源产生， 也可由时变的磁场产生。 6.1.3 电场的高斯定律——麦克斯韦第三方程 若以该点电荷为中心，做一半径为R 的球面，则电场强度穿出该球面的通量为 ] 如果闭合曲面内包含n个点电荷，则： 如果闭合曲面内含有连续分布的电荷，则： 该方程称为麦克斯韦第三方程。 该式表明：穿过任何闭合曲面的电通量等于该闭合曲面所包围 的净电荷。 例1：一均匀带电球壳，电荷密度为 ，