化合物半导体器件第三章半导体异质结全解.pptVIP

* 化合物半导体器件 化合物半导体器件Compound Semiconductor Devices微电子学院戴显英2010.5 第三章 半导体异质结 异质结及其能带图 异质结的电学特性 量子阱与二维电子气 多量子阱与超晶格 半导体应变异质结 3.1 异质结及其能带图 3.1.1 异质结的形成 图3.1 III-V族和II-VI族化合物 半导体的禁带宽度和晶格常数 1）异质结 2）异质结形成的工艺 3）异质结的类型 4）异质结形成的关键 5）晶格失配 3.1 异质结及其能带图 图3.3 晶格失配形成位错缺陷 6）单位面积的悬挂键数 （张）应变Si示意图 3.1 异质结及其能带图 图3 半导体能带边沿图 图4 孤立的n型和p型半导体能带图 3.1.2 异质结的能带图 3.1 异质结及其能带图 3.1.2 异质结的能带图 图3.4 形成异质结之前(a)和之后(b)的平衡能带图 （以突变异质结为例） (a) (b) 1)突变反型异质结能带图 1、不考虑界面态时的能带图（理想状态） 3.1 异质结及其能带图 热平衡下的能带图（p-GaAs/N-AlGaAs） 图7 同质pn结平衡能带图 异质结pn平衡能带图 3.1 异质结及其能带图 热平衡下的能带图 突变反型np异质结平衡能带图 3.1 异质结及其能带图 Anderson定则（模型）：