半导体器件物理课件1全解.ppt

半导体物理基础 第一章 半导体物理基础 ●半导体中的电子状态 ●载流子的统计分布 ●简并半导体 ●载流子的散射 ●载流子的输运 ●非平衡载流子 1、本课程的主要内容 2、本课程的考核方式、答疑时间 概述 1.1半导体中的电子状态 ●半导体中电子的波函数和能量谱值 ●能带 ●有效质量 ●导带电子和价带空穴 ●Si/Ge/GaAs的能带结构 ●杂质和缺陷能级 请复习《半导体物理基础》相关知识点！ 1.2载流子的统计分布 ●导带电子浓度 （1-57） 其中 称为导带有效状态密度 ●价带空穴密度 （1-60） 其中 称为价带有效状态密度 1.2载流子的统计分布 ●导带电子浓度和价带空穴浓度之积 （1-64） 式中 为禁带宽度。 与温度有关，可以把它写成经验关系式： 其中 为常数 得： （1-66） 1.2载流子的统计分布 ●本征半导体 于是： （1-70） （1-68） （1-69） 即： 参照 得： 习题 1.2载流子的统计分布 ●只有一种杂质的半导体 ☆N型半导体 在杂质饱和电离的温度范围内： 而： 温度升高，费米能级逐渐远离导带底。 （1-76） 1.2载流子的统计分布 ●只有一种杂质的半导体 ☆P型半导体 在杂质饱和电离的温度范围内： 导带电子浓度为： 费米能级： （1-80） 1.2载流子的统计分布 ●杂质补偿半导体 相应的费米能级为： 在 的半导体中： （1-84） 1.2载流子的统计分布 相应的费米能级为： 在 的半导体中： （1-88） ●杂质补偿半导体 1.3简并半导体 ●载流子浓度 费米积分： （1-91） ●发生简并化的条件 或 习题 1.4载流子的散射 1.格波与声子 2.载流子的散射 1）平均自由时间与驰豫时间 2）散射机构 ○晶格振动散射 ○电离杂质散射 声学波 特点： 相邻两种不同原子的振幅都有相同的正号或负号，即对于声学波，相邻原子都是沿着同一方向振动，当波长很长时，声学波实际上代表原胞质心的振动。 光学波 特点：对于光学波，相邻两种不同原子的振动方向是相反的。原胞的质心保持不动，由此也可以定性的看出，波长很长的光学波（长光学波）代表原胞中两个原子的相对振动。 1.格波与声子 晶格振动能量的量子化 ---声子 2.载流子的散射 1）平均自由时间与驰豫时间 载流子在电场中作漂移运动时，只有在连续两次散射之间的时间称为自由时间，取极多次而求平均值，则称之为载流子的平均自由时间，常用τ表示。 平均自由时间与散射几率互为倒数。 2）散射机构 ○晶格振动散射 ○电离杂质散射 1.5载流子的输运 1.漂移运动 迁移率和电导率 电子迁移率： 空穴迁移率： 电子漂移电流密度： （1-114） 电子电导率： （1-118） ——N型半导体的电导率 空穴电导率： ——P型半导体的电导率 电子和空穴共同作用电导率： 1.5载流子的输运 2.扩散运动和扩散电流 电子扩散电流密度 D ——扩散系数 （1-129） 空穴扩散电流密度 3.流密度 在漂移和扩散同时存在的情况下，空穴和电子的流密度分别为： （1-133） 1.5载流子的输运 4. 电流密度 空穴和电子的电流密度分别为： （1-135） 在一维情况下，空穴和电子的电流分别为： （1-137） 式中A为电流垂直流过的面积 1.5载流子的输运 5.非均匀半导体中的自建电场 1）半导体中的静电场和势 电场定义为电势的负梯度： 电势与电子势能的关系为： 可以把电场表示为（一维）： ——静电势 ——费米势 （1-140） 1.5载流子的输运 （1-144） 于是： ——热电势 在热平衡情况下，费米势为常数，可以把它取为零基准，于是： （1-146） 2）爱因斯坦关系 电子： 空穴： 1.5载流子的输运 对于N型半导体，有（取EF为零基准）： （1-151） 对于P型半导体，有： （1-153） 3）非均匀半导体自建电场 1.6非平衡载流子 非平衡载流子：比平衡态多出来的部分载流子 小注入：非平衡载流子浓度热平衡多数载流子浓度 1.非平衡载流子的产生与复合 ——非平衡载流子 1.6非平衡载流子 2.准费米能级 （1-162） （1-163） 式中 和 分别称为电子和空穴的准费米能级， 和 分别为相应的准费米势： 1.6非平衡载流子 3.修正的欧姆定律 其中： 分别称为电子和空穴的等效电导率。修正欧姆定律虽然在形式上和欧姆定律一致，但它包括了载流子的漂移和扩散的综合效应。 从修正欧姆定律可以看出，费米能级恒定（即 ）是电流为零的条件。处于热平衡的半导体，费米能级恒定。或者说，热平衡系统具有统一的费米能级。 1.6非平衡载流子 4.复合机制 净