半导体物理2016秋季课件1全解.ppt

半导体物理  SEMICONDUCTOR PHYSICS 第一章 半导体中电子的状态 * 国凤云 材料科学与工程学院 1. 什么是半导体 按导电能力区分材料种类,可区分为导体、半导体和绝缘体. 表1. 导体、半导体和绝缘体的电阻率范围 ＞109 10-3～109 ＜ 10-3 电阻率ρ(Ωcm) 绝缘体 半导体 导体 材料 绪论 第一章 半导体中电子的状态 2. 半导体种类 Ⅱ族 Zn、Cd、Hg Ⅲ族 B、Al、Ga 、In Ⅳ族 C 、Si、Ge Ⅴ族 N 、P 、As 、Sb Ⅵ族 S 、Se 、Te 目前半导体材料几乎都由上述元素构成. 元素周期表中常作为半导体的元素，如下： 1）元素半导 Ⅳ族 C 、Si、Ge 原子以单晶形式构成半导体 主要用途：耐环境器件（C 未来型） Si—IC集成、 Tr晶体管、D二极管 Ge—红外探测器、D 第一章 半导体中电子的状态 2）化合物半导体 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体： GaAs-激光D、高频Tr、太阳能电池； GaN-激光D（蓝光）、发光D、高温场效应管FET； InP-发光D（红外） Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体：CdS-光电探测； ZnSe-发光D（蓝光） Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体：α-SiC 、β-SiC ，大功率高温FET、近未来型. 打破Si器件应用界限、不能用Si器件的领域. 3. 半导体的主要特征 ： 第一章 半导体中电子的状态 温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降 如室温附近的纯硅(Si)，温度每增加8℃，电阻率相应地降低50%左右 微量杂质掺杂可以显著改变半导体的导电能力 以纯硅中每100万个硅原子掺进一个Ⅴ族杂质（比如磷）为例，这时 硅的纯度仍高达99.9999%，但电阻率在室温下却由大约214,000Ωcm降至0.2Ωcm以下 光场、电场、磁场等作用可以改变半导体的导电能力 如在绝缘衬底上制备的硫化镉(CdS)薄膜，无光照时的暗电阻为几十MΩ，当受光照后电阻值可以下降为几十KΩ 4. 存在的主要问题 第一章 半导体中电子的状态 不能工作在高温环境。例如Si器件一般在130～150度，特 殊～200度； 500～600度使用（汽车、飞机、发电 机等领域），材料本身不允许。 目前正研制的SiC、ZnO、GaN 、C（金刚石）半导体可在高温甚至宇宙空间严酷环境下使用。 1.1 半导体的晶格结构、价键结合性质 1. 金刚石型结构和共价键 Ⅳ族元素半导体(Ge,Si)，原子通过共价键结晶成正四面体结构.四个原子分处在正四面体顶角上,每一个原子和周围四个原子组成四个共价键。四面体四个顶角原子可各通过四个共价键组成正四面体，如此扩展四面体空间堆积形成金刚石型结构. 图（a）正四面体结构 图（b）金刚石型结构的晶胞 金刚石型结构晶体的晶胞是正立方体.立方体的八个顶角和六个面心各有一个原子,内部四条空间对角线上距顶角原子1/4对角线长度处各有一个原子,金刚石结构晶胞中共有8个原子.金刚石结构晶胞可看作是两个面心立方沿空间对角线相互平移1/4对角线长度套构而成的复式晶格. 1.1 半导体的晶格结构、价键结合性质 图（c）金刚石型结构的晶胞在｛100｝面上的投影 图（d）〔111〕面的原子堆积 金刚石型结构晶体（111）面是晶体中原子的密堆积面。原子堆积方式是以双原子层的形式按ABCABC…顺序堆积起来。 1.1 半导体的晶格结构、价键结合性质 2. 闪锌矿型结构和混合键 绝大多数Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体（除HgSe、HgTe半金属外）具有闪锌矿型结构。 闪锌矿型结构与金刚石型结构类似,区别是由两类原子各自组成的面心立方晶格沿立方体的空间对角线相互位移1/4空间对角线长度套构而成； 图示 闪锌矿型结构的晶胞 如果角顶上和面心上的原子是Ⅲ族(Ⅱ族),则晶胞内4个原子就为Ⅴ族(Ⅵ族)原子,每个原子与4个异族原子共价键结合,但有一定离子键成