4.2 结型场效应管.pptVIP

N P P g(栅极) s源极 d漏极 N沟道结型场效应管结构 基底 ：N型半导体 两边是P区 导电沟道 d g s 4.2 结型场效应管 P N N g(栅极) s源极 d漏极 P沟道结型场效应管结构 基底 ：P型半导体 两边是N区 导电沟道 d g s N g s d vDS vGS N N P＋ iD P＋ 正常工作条件 vDS为正值， vGS为负值。 一、NJFET工作原理 - + + - （2）vGS越负则耗尽区越宽，导电沟道越窄,电阻越大， iD越小。 vGS对沟道导电能力的影响(vDS=0) （1）当vGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。漏源间相当于线性电阻。 NJFET工作原理 N g s d vDS N N P＋ iD P＋ - + + - vGS vGS对沟道导电能力的影响 （3） vGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，漏源间被夹断，这时，即使vDS ? 0V，漏极电流iD=0A。 VP:夹断电压 两侧阻挡层相遇，沟道消失， iD＝0时的电压 NJFET工作原理 vDS对沟道导电能力的控制 N g s d vDS vGS N N iD - + + - P＋ P＋ 源极：反偏电压vGS最小沟道最宽 漏极： 反偏电压vGD＝vGS－ vDS最大，沟道最窄 （1） vDS0,导电沟道不均匀：上窄下宽 vDS增大则被夹断区向下延伸。 N g s d