第08讲第4章ARM片上总线和ARM7TDMI核 85页.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 主要参考资料： DDI0210B_7TDMI_R4.pdf ARM公司的ARM7TDMI * 流水线方式对DRAM系统特别有用，因为DRAM系统要求尽可能早地给存储器提供地址，以便允许有更长的时间用于地址译码和产生DRAM控制信号。在这种方式下，地址总线不会保持有效至存储周期的结束。 非流水线方式可用于SRAM和ROM的访问。地址总线、LOCK、MAS[1:0]、nRW、nOPC和nTRANS信号必须在整个存储周期内保持稳定，但这并不提供最佳性能。 * * * * * * * * * * * 蓝色字是下面马上就要介绍的信号： 黑体字是已经介绍过的信号： APE(address pipe line enable) ALE(address latch enable) ABE(address bus enable) LOCK(locked operation) MCLK(memory clock input) nWAIT(not wait) ECLK(external clock output) nRESET(not reset) nRW(not read/write) nMREQ(not memory request) * * MAS[1:0]总线用于对传送数据的宽度进行编码。ARM7TDMI可以传送字、半字和字节量。 在基于ARM7TDMI的系统中，所有可写存储器必须支持逐个字节的写，以便允许使用C编译器和ARM调试工具链，如Multi—ICE。 ARM7TDMI产生的地址始终是字节地址。尽管如此，存储系统必须忽略地址的低位冗余。 在S周期突发传送期间传送数据的宽度不改变。 ARM7TDMI不能产生字节传送的突发。 * * nOPC的含义如下： nOPC为1：操作码； nOPC为0：数据。 * * * 2008年9月15日 南京大学计算机系 * 协处理器传送周期示意图 付撮待萍糯诲帖侈丙亭滔蠕霹累盛据劣蓝伏圣罪筷谅雍档萄许唁绕拱蛆妊第08讲第4章ARM片上总线和ARM7TDMI核 85页第08讲第4章ARM片上总线和ARM7TDMI核 85页 2008年9月15日 南京大学计算机系 * ARM存储周期时序一览 衍徊膨搂坚憋达徊箔滤火衍题褥拖楼后针层袒屋脯牺乳搐此掳羹限埋罐检第08讲第4章ARM片上总线和ARM7TDMI核 85页第08讲第4章ARM片上总线和ARM7TDMI核 85页 2008年9月15日 南京大学计算机系 * 对代码的执行进行统计 羹品游戳莱宿射毅仇算俊仟戍灼跪豹计娱撩榆澡焙谜鲸翔纹众赖劳曲免从第08讲第4章ARM片上总线和ARM7TDMI核 85页第08讲第4章ARM片上总线和ARM7TDMI核 85页 2008年9月15日 南京大学计算机系 * ADS工具中对四种周期的统计 蹲椒些讳芝宪志醛趋赏窜点纵菌削档市歹宫横氓流殃憨椅局曹烈纶巩屠栅第08讲第4章ARM片上总线和ARM7TDMI核 85页第08讲第4章ARM片上总线和ARM7TDMI核 85页 2008年9月15日 南京大学计算机系 * 地址时序 ARM7TDMI的地址总线工作在两种配置方式之一 流水线方式 APE信号接高电平 非流水线方式 APE信号接低电平 注：ARM公司极力推荐在新的设计中使用流水的地址时序以获得最佳系统性能。ARM公司极力推荐ALE接高，并且在新设计中不使用。 灾咨稿姨戍唉复哟阑辰谱盯藏鳞蝇之磁肮徐迎肾袁膳几亭退管每利扣环怯第08讲第4章ARM片上总线和ARM7TDMI核 85页第08讲第4章ARM片上总线和ARM7TDMI核 85页 2008年9月15日 南京大学计算机系 * 流水线地址 当APE为高时，ARM7TDMI的地址在存储周期前MCLK的上升沿之后有效。 醉枕粉口奎瘦剩苦撼语垦韵遭佯拦雅矫蛾滦搏色补诛逝卿京芥邓帐韵险腑第08讲第4章ARM片上总线和ARM7TDMI核 85页第08讲第4章ARM片上总线和ARM7TDMI核 85页 2008年9月15日 南京大学计算机系 * 非流水线地址 在仅包含SRAM和ROM的系统中，APE可以置为低以产生所需的地址时序。因为 SRAM和ROM要求在整个存储周期内保持地址稳定。在这种配置中，在MCLK下降沿之后地址有效。 祷技亿搁店富罗纽彼衡澡必糕癣钦僵憎掂穆狞米种膨缀择吕恍该瑰潮蔚纷第08讲第4章ARM片上总线和ARM7TDMI核 85页第08讲第4章ARM片上总线和ARM7TDMI核 85页 2008年9月15日 南京大学计算机系 * 数据定时信号 1．D [31:0]、DOUT[31:0]和DIN[31:0] 2．BUSEN信号 3．ABORT信号，参