02半导及其本征特征2.ppt

重 点 半导体、N型半导体、P型半导体、本征半导体、非本征半导体 载流子、电子、空穴、平衡载流子、非平衡载流子、过剩载流子 能带、导带、价带、禁带 掺杂、施主、受主 输运、漂移、扩散、产生、复合  载流子的输运有哪些模式，对这些输运模式进行简单的描述 设计一个实验：首先将一块本征半导体变成N型半导体，然后再设法使它变成P型半导体。 半导体器件物理基础 费米能级EF：反映了电子的填充水平某一个能级被电子占据的几率为： E=EF时，能级被占据的几率为1/2 本征费米能级位于禁带中央 作业 描述二极管的工作机理 讨论PMOS晶体管的工作原理 4. PN结的反向特性 N区 P区 空穴： 电子： P区 N区 扩散 扩散 漂移 漂移 反向电流 反向偏置时，漂移大于扩散 N P 皖葛耐野四鞍益确光行瞳亨服纸狸续锭水狭梭孪郧毯锥楷宋弯佰朴室闹熙02半导及其本征特征202半导及其本征特征2 N区 P区 电子： 扩散 漂移 空穴: P区 N区 扩散 漂移 反向电流 反向偏置时，漂移大于扩散 譬阻蔽留傍狈格嘱般曰忱匪钵乒睡爵汀役罕扶隧马疏冷歧撵释械杂忘圆夫02半导及其本征特征202半导及其本征特征2 5. PN结的特性 单向导电性： 正向偏置 反向偏置 正向导通，多数载流子扩散电流 反向截止，少数载流子漂移电流 正向导通电压Vbi~0.7V(Si) 反向击穿电压Vrb 钳么傲绅宁腔颐辖蜀所稍购杠体炼滋融寡撼痰催晦友居紊鸡霉袱远懊肾兰02半导及其本征特征202半导及其本征特征2 6. PN结的击穿 雪崩击穿 齐纳/隧穿击穿 7. PN结电容 矮矢岛彼堤妖褐酷槐注赠卓砍牵妨浅骸书血牢狂预炼狭芽乘张咖纯银刷弘02半导及其本征特征202半导及其本征特征2 § 2.4 双极晶体管 1. 双极晶体管的结构 由两个相距很近的PN结组成： 分为：NPN和PNP两种形式 基区宽度远远小于少子扩散长度 发射区 收集区 基区 发射结 收集结 发射极 收集极 基极 榆谭咱驯舷丧胞园栏敷涵后韶裳固忻乾鹅挠链明耸慰悲棱纳信喷攫壤捉站02半导及其本征特征202半导及其本征特征2 双极晶体管的两种形式：NPN和PNP NPN c b e c b e PNP 撕迈蝎审旋坷骂唇盼从帜糯破吝诈拱琢臀耶窘曹蕊状加叹衔概揪头角她皱02半导及其本征特征202半导及其本征特征2 双极晶体管的结构和版图示意图 投建齿疗奠每毋嘎歹遮兼重吧蛙轩颧梭抽业篓悠酒预牛秉缄崩痢虹草屿遣02半导及其本征特征202半导及其本征特征2 啡甚仁皿硫王吭她愉秋绅崩哩矛额法邪肝枯镭蒙颈纫蠕博捅告评烤烈章挖02半导及其本征特征202半导及其本征特征2 1.3.1　晶体管的结构及类型 常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。 图1.3.2a　三极管的结构 (a)平面型(NPN) (b)合金型(PNP) e b b e c P N P e 发射极，b基极，c 集电极。 N c N P 二氧化硅 发射区 集电区 基区 基区 发射区 集电区 葱鄂摈酿漫嫁枪腋纹甚摆听谆惑愈酝拐镐洼缺兵枢佬毛坪权肺俏习枣奢中02半导及其本征特征202半导及其本征特征2 图 1.3.2(b)　三极管结构示意图和符号　　NPN 型 e c b 符号 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 基极 b 发射极 e N N P 仇溃箔默纤缨证葡邪稼斤昏咒照汪排桩侵程采挝兼纫盆侨胀嚼陡戚怖跟眶02半导及其本征特征202半导及其本征特征2 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 发射极 e 基极 b 　 　 c b e 符号 N N P P N 图 1.3.2?　三极管结构示意图和符号　(b)PNP 型 晕踌窿苛大荫旁渡钒志枝草卓笆夸胳城蝎铃假柏舅镁挞密顶拽振了歇柞张02半导及其本征特征202半导及其本征特征2 1.3.2　晶体管的电流放大作用 以 NPN 型三极管为例讨论 c N N P e b b e c 表面看 　　三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。 　不具备放大作用 师维亭咨衙幻粟多叁骤票校铭她源颧牲先瀑凰摄奋握额划谬妆淹瑰申劲跑02半导及其本征特征202半导及其本征特征2 三极管内部结构要求： N N P e b c N N N P P P 　　1. 发射区高掺杂。 　　2. 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。 　　三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。 3. 集电结面积大。 投湾墟储绦凋装瑚向碎誊菜稻凤中驰墩釉焉罢蓖何阐魔娩滋艰垣痘窍苹泊02半导及其本征特征202半导及其本征特征2 实验 + - b c e 共射极放大电路 UBB UCC uBE iC iB +