场效应器件物理开题报告.ppt

场效应器件发展 DMOS（LDMOS+VDMOS） * XIDIAN UNIVERSITY * DMOS： Double Diffusion 双扩散MOSFET 功率MOSFET：高电压大电流应用 LDMOS： 在沟道和漏之间增加了一个较长 的低浓度N漂移区，器件耐压增加 VDMOS： 电子从源极穿过水平沟道，经过栅 极下面的积累层， 再通过垂直N-漂 移区流到漏极。 场效应器件发展 新器件1 * XIDIAN UNIVERSITY * intel公司微处理器的发展代表了晶体管新材料和新结构的发展 应变硅(Strained Silicon)技术（90nm开始） High-K和金属栅极（45nm开始） 三栅3-D晶体管（22nm开始） XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY 西安电子科技大学 XIDIAN UNIVERSITY 绪论 场效应器件物理 * XIDIAN UNIVERSITY * XIDIAN UNIVERSITY * 现代集成电路人才的知识结构 物理知识：量子力学→固体物理→半导体物理→半导体器件物理 电路知识：数字电路→模拟电路→数字集成电路→模拟集成电路 系统知识：信号与系统→计算机体系结