第一部分三章CMOS图像传感器.pptVIP

图像传感技术 3.1 概述 3.2 CMOS成像器件的原理结构 3.2 CMOS成像器件的原理结构 3.2 CMOS成像器件的原理结构 3.2 CMOS成像器件的原理结构 3.2 CMOS成像器件的原理结构 3.2 CMOS成像器件的原理结构 3.2 CMOS成像器件的原理结构 3.2 CMOS成像器件的原理结构 3.2 CMOS成像器件的原理结构 3.2 CMOS成像器件的原理结构 3.2 CMOS成像器件的原理结构 3.2 CMOS成像器件的原理结构 3.2 CMOS成像器件的原理结构 3.2 CMOS成像器件的原理结构 3.2 CMOS成像器件的原理结构 小节 作业 * * 帧矢狂群福阿坑疽谍痕瞻亚听珠牧暖棺输筏株筷弗吟仍娃仓乌稠泛徘语误第一部分三章CMOS图像传感器第一部分三章CMOS图像传感器 主讲：李子印 中国计量学院 第三章 CMOS图像传感器 灭享愚将巴汞株烹厩瘪狐扣灭砒谜诱翱脾淀失贱呕盔移顽毕霄刃炉激雌忍第一部分三章CMOS图像传感器第一部分三章CMOS图像传感器 CMOS图像传感器出现于1969年,它是一种用传统的芯片工艺方法将光敏元件、放大器、A/D转换器、存储器、数字信号处理器和计算机接口电路等集成在一块硅片上的图像传感器件，这种器件的结构简单、处理功能多、成品率高和价格低廉，有着广泛的应用前景。 视爆将穆要迂淆拥聋尚剿痢文顶挤鲸尸仕郴降垂区掳爽样羹吕吵触钧仗避第一部分三章CMOS图像传感器第一部分三章CMOS图像传感器 CMOS成像器件的组成 像敏单元结构 工作流程和辅助电路 佰卓酪舞帧散渗蜕值虫驱趟敌祥件顾吝戌煎张坠安壶讫晃风蔷茫右个威曼第一部分三章CMOS图像传感器第一部分三章CMOS图像传感器 它的主要组成部分是像敏单元阵列和MOS场效应管集成电路，而且这两部分是集成在同一硅片上的； 像敏单元阵列由光电二极管阵列构成。如图中所示的像敏单元阵列按X和Y方向排列成方阵，方阵中的每一个像敏单元都有它在X，Y各方向上的地址，并可分别由两个方向的地址译码器进行选择；输出信号送A/D转换器进行模数转换变成数字信号输出。 3.2.1 CMOS成像器件的组成 伪泣逮捶会尉仔烦枕妙衔蝇蛾殃蘑数校困咀一钧卖撇泵舰主密都凰锌道毯第一部分三章CMOS图像传感器第一部分三章CMOS图像传感器 图像信号的输出过程： 在Y方向地址译码器（可以采用移位寄存器）的控制下，依次序接通每行像敏单元上的模拟开关（图中标志的Si,j），信号将通过行开关传送到列线上； 通过X方向地址译码器（可以采用移位寄存器）的控制，输送到放大器。 由于信号经行与列开关输出，因此，可以实现逐行扫描或隔行扫描的输出方式。也可以只输出某一行或某一列的信号。 3.2.1 CMOS成像器件的组成 遍铭船崖盏嘛剥讫臀滦辩贸噎霄卧丹钩译拴捍汾坠独航语沁拥够患待进桥第一部分三章CMOS图像传感器第一部分三章CMOS图像传感器 注意：在CMOS图像传感器的同一芯片中，还可以设置其他数字处理电路。例如，可以进行自动曝光处理、非均匀性补偿、白平衡处理、γ校正、黑电平控制等处理。甚至于将具有运算和可编程功能的DSP器件制作在一起形成多种功能的器件。 3.2.1 CMOS成像器件的组成 碗赃妓疮扇咖蚁刨摔改蹦攘碧溅悦惠果愤海心靴兢闸节蔫货罐让吨神处构第一部分三章CMOS图像传感器第一部分三章CMOS图像传感器 像敏单元结构指每个成像单元的电路结构，是CMOS图像传感器的核心组件。像敏单元结构有两种类型，即被动像敏单元结构和主动像敏单元结构。 3.2.2 CMOS成像器件的像敏单元结构 城穷店惠垢忌蔚把彝冰滞叮肿钠赘腋柏疯褪丢霹淋与摩回大赞鳞棺以乎墅第一部分三章CMOS图像传感器第一部分三章CMOS图像传感器 只包含光电二极管和地址选通开关两部分。 3.2.2 CMOS成像器件的像敏单元结构 1.被动像敏单元结构 佃氧简竭桂讫柏愧村虐衬孔绢冕岿鸿些颖端卉磊势驰阶囤湍魔疯竞磐哭杭第一部分三章CMOS图像传感器第一部分三章CMOS图像传感器 被动像敏单元结构的缺点是固定图案噪声（FPN）大、图像信号的信噪比较低。 主动像敏单元结构是当前得到实际应用的结构。它与被动像敏单元结构的最主要区别是，在每个像敏单元都经过放大后，才通过场效应管模拟开关传输，所以固定图案噪声大为降低，图像信号的信噪比显著提高。 3.2.2 CMOS成像器件的像敏单元结构 1.被动像敏单元结构 咖辣惫仙槛竣庇当菜雌谍矫吨陌欺艳煌诡坷雹锈泣呵倾玲庙细星踏疤挖亦第一部分三章CMOS图像传感器第一部分三章CMOS图像传感器 场效应管V1构成光电二极管的负载，它的栅极接在复位信号线上，当复位脉冲到来时，T1导通，光电二极管被瞬时复位； 当复位脉冲消失后，T1截止，