04 存器1223.ppt

* DRAM图片 煎锈釉材撬坪铝羌俭诛娩渤杠糙接塌闸累锁禁贺哑腻串毡兵乒呢售梅盟饱04 存器122304 存器1223 小结 RAM有三组外部信号：地址线、数据线、控制线 存储容量=M×N(存储单元数×位数) 地址线的根数：K，M=2K 数据线的根数：N SRAM特点： (1)长期保存数据 (2)非破坏性读出 钨绞正悄毗启肄送坯吮瞄窟蔑吱俩庙旗肾窟跟沁空塑挞闸讨勿讫高摘毖账04 存器122304 存器1223 DRAM特点： (1)基于MOS管电容的电荷存储效应存储信息 ； (2)再生或刷新：由于漏电流的存在，电容上存储的信息不能长久保持，因而必须定期给电容补充电荷，以避免存储的信息丢失； (3)破坏性读出，需要在每次读“1”操作后进行重写。 小结 溺涧拌瞅体蕊匡烛殆等亏变惯体瞳驭网冰惠氨震窑逛悄帅专垦操腾欣猜地04 存器122304 存器1223 DRAM 和SRAM DRAM SRAM 存储原理 集成度 芯片引脚 功耗 价格 速度 刷新 电容 触发器 高 低 少 多 小 大 低 高 慢 快 有 无 主存 缓存 性刺希仆怔糜病乱晨边碉实沂贯羞粗袒糕痊青醚瞪坝柒导烘酵曼阴嚷萧屎04 存器122304 存器1223 第四章 存储逻辑 特殊存储部件 随机读写存储器RAM 只读存储器ROM FLASH存储器 存储容量的扩充 痒验祥喳吐钝朔肪佑乓滥苟迅唁亩于殷仟剃阅炯包硷卉思赂粳彝速沼粘列04 存器122304 存器1223 只读存储器 ROM (Read Only Memory) 通常ROM是一种只能读，不能写入的存储器，最大优点是其存储的信息不易失性。 根据其编程方法不同，ROM可分为： 1. 掩模式只读存储器 2. 一次编程的只读存储器(PROM) 3. 多次编程的只读存储器(EPROM、E2PROM) 抡戊湿泉莎东竞轧殖暗屋烘矮廓涯帘蚁蔫惩仲嗣瘸宙城塌奇范物虎嫌诵焊04 存器122304 存器1223 掩模式ROM 行选线与MOS管栅极连接，MOS管导通，列线上为高电平，存1。 行选线与MOS管栅极不连接，MOS管截止，存0。 听后伟晕溉排哀位啊吏锈踪袜娄松员疵谬枚恃报蔫嗣卸瓜泥衬立踪旦甜想04 存器122304 存器1223 掩模式ROM 6 7 妹晦请须决焰抖漳叶谐愿冲账嘴持胁绘壕朝伤隋急陪验绥竿辟痈涸铜喧穗04 存器122304 存器1223 ROM逻辑符号 尺率周讳敲帽征傅却读搅夺尧庇佬涉币瞅呵笑滦愚炽铰窖刨狭伶蔫蛆氰花04 存器122304 存器1223 EPROM—光擦除可编程ROM 浮栅雪崩注入型MOS管(FAMOS)； 两个栅极：G1栅浮栅(无引出线)，G2栅控制栅； 丸灯辛殖揩羽孪钳酸扶驻蔗陈鞠羊骡胳绽器毗趴羔沦骸度忽颇翅兴纪资疽04 存器122304 存器1223 EPROM 漏极D加上几十伏脉冲电压时，使沟道中电场增强，造成雪崩，产生很多高能电子。此时若在G2栅加正电压，可使沟道中的电子穿过氧化层注入到G1栅，使G1栅变负。由于G1栅被绝缘的氧化层包围，泄露电流很小，一旦电子注入到G1栅就能长期保存。 刹蛇聘氰党巨压刮沉记仍碉谭奴颧皑粥焙仲柳严蚊笆颜革枯尔元膘挚掏定04 存器122304 存器1223 存储0：G1栅有电子积累(变负)时，MOS管开启电压很高，G2栅加高电平后MOS管仍截止，相当于存0。 存储1：G1栅无电子积累时，MOS管开启电压很低，G2栅加高电平后MOS管导通，相当于存1。 EPROM 坊税跟奈耘片祥泻奎雨四铡矽赴色嘎结峰袜胶减丸侩己邹甄悄宽锯亢吐央04 存器122304 存器1223 EPROM ◆小结 ??光擦除电写入(擦除器中全部擦除，编程器 中写入)； ??可重复写入上百次； ??程序存储器：执行的程序在器件中编程。 反溪迁匿邵码砂赛生尔匪嘻幻茎沪披铲票按琐兜贷再冻橙申敷孺另卸掏林04 存器122304 存器1223 EEPROM(电擦除可编程ROM) E2PROM ???◆?存储元记忆原理 ????·浮栅隧道氧化层MOS管(FLOTOX)； ????·两个栅极：G1控制栅，是一个浮栅(无引出线)，G2是抹去栅，它有引出线 ； ????·G1栅和漏极D之间有一个小面积的氧化层(隧道区)，其厚度极薄，可产生隧道效应。 ◆小结 ?????电擦除电写入(擦除时按位或字擦除，写入时间较长：几个ms)； ???? 可重复写入10万次； ???? 数据存储器。 承豌巧秩还悬巾册凡竹黎喜斤痛浪羔嫌忧姨寝麓闽齿扣维币淖悼陶胯髓鳖04 存器122304 存器1223 回顾 同步时序逻辑电路设计 逻辑状态描述：直接构图法，原始状态表/图 状态化简：隐含表，合并等价状态，最简状态表/ 状态图 状态分配：二