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晶体结构与晶体中的缺陷 晶体结构与晶体中的缺陷 第二章 晶体结构与晶体中的缺陷 §2-1 典型结构类型 一、金刚石结构 金刚石晶体结构为立方晶系Fd3m，立方面心格子，碳原子位于所有立方面心的结点和1/2的8个小立方体中心，a0=0.356nm 每个碳周围都有4个碳，碳原子之间形成共价键。 二、石墨结构 结构： 立方晶系AB型， P63/mmc，a0=0.146nm， c0=0.670nm，每个碳周围都有3个 碳，碳原子成层排列。层内的碳原子之 间为共价键，层间为分子键。 性质：硬度低，有滑腻感，熔点高，导电性好 应用：润滑剂；发热体和电极； 类似材料：六方BN 三、 典型化合物结构 描述晶体结构的常用方法： ①用坐标系的方法，即给出单位晶胞中各个质点的 空间坐标。这种方法描述晶体结构是最规范的。 ②用球体紧密堆积的方法，这对于金属晶体和一些 离子晶体很有用。这种描述方法很直观。 ③用配位多面体及其连接方式描述晶体结构，适用 于结构比较复杂的晶体。这种描述方法，有利于 认识和理解晶体结构。如石榴石Ca3Al2Si3O12） ④晶面投影图。 换PPT 结晶化学中按化学式分类： AX型、AX2型、A2X3型、ABO3型和AB2O4型。 1、AX型晶体结构 ① CsCl型晶体结构 结构：立方晶系，Pm3m 立方原始格子 α0=0.411nm 质点的空间坐标 Cl-: (000), Cs+:（? ? ?) 或 Cs+: (000), Cl-:（? ? ?) 计算离子配位数： r+/r-=0.174/0.181=0.96（在0.732～1之间） Cs+的配位数为8； S=1/8 Z-=1=1/8×n Cl-的配位数n=8。 一个CsCl晶胞中的分子数： Cl-数目=1/8×8=1 Cs+数目=1 晶胞中的“分子”数：Z=1。 CsCl型结构的化合物： CsBr、TlCl、NH4Cl等。 ② NaCl型结构 结构：立方晶系，Fm3m，立方面心格子，a0=0.563nm 质点的空间坐标： 配位数：r+/r-=0.102/0.181=0.56（0.414～0.732） ③ 立方ZnS（闪锌矿）型结构 晶体结构：立方晶系，立方面心格子，α0=0.540nm 配位数：r+/r-=0.09/0.184=0.49，理论上Zn2+的CN=6， 实际上,极化导致配位数下降为4，形成[ZnS4]四 面体。S2-的CN=4。 ④ 六方ZnS（纤锌矿）型结构 晶体结构：α-ZnS(纤锌矿)属于六方晶系，用底面为菱形的平行六面 体表示，a0=0.382nm，c0=0.625nm。Zn2+的CN=4，形成 [ZnS4]四面体。S2-的CN=4。 质点的空间坐标： 结构中S2-作六方密堆积，Zn2+填入1/2的四面体空隙中。在一个ZnS晶胞中： 晶胞中的“分子”数：Z=2。 r+/r-=0.09/0.184=0.48 属于纤锌矿结构的晶体有：BeO、ZnO、AlN等。 2、AX2型晶体结构 ① CaF2(萤石)型结构和反萤石结构 晶体结构：立方晶系，α0=0.545nm，立方面心格子。 配位数：r+/r-=0.85（0.732～1.000），Ca2+的CN=8，形成 [CaF8]立方体。 根据静电键规则，F-的配位数应为4。 一个晶胞占有正、负离子的数目： Ca2+的数目=4，F-的数目=8，所以Z=4 属于萤石结构的晶体有：BaF2、PbF2、CeO2、UO2、低温ZrO2（单斜晶系）等。 碱金属氧化物：Li2O、Na2O、K2O、Rb2O等的结构与萤石结构相同，只是阴、阳离子的位置完全互换，Li+、Na+、K+、Rb+等占据 F-的位置，而O2-占据Ca2+的位置。这种结构叫反萤石结构。 结构相同，只是阴、阳离子的位置颠倒的晶体称为反同形体。 晶体结构：四方晶系，四方原始格子，α0=0.459nm， C0=0.296nm。体心Ti4+不属于该原始格子。 配位数：r+/r-=0.44，在0.414～0.732的范围，所以Ti4+ 的配位数为6，形成[TiO6]八面体。O2-的配位数