功率型LED封装技术.docxVIP

功率型LED封装技术摘要：随着LED在各方面应用的不断发展，对LED封装要求也随之提高。通过阅读这方面的相关文献，从芯片结构、封装材料、封装方式、封装工艺以及封装关键技术等方面对LED封装技术作了介绍。阐述了引脚式封装、表面贴装式(SMT) 、板上芯片直装式(COB)和系统封装式(SIP)封装结构和封装所需的基板材料、粘接材料及封装胶。同时对封装要考虑的四个关键技术：1）芯片的发光效率；2）出光通道的设计与材料选择；3）荧光粉的使用；4）散热设计进行了讨论。最后对功率型LED封装技术的发展进行了展望。关键字：LED封装、封装方式、LED工艺、封装材料、关键技术Abstract：With the development of LED application in all aspects, the requirement of LED packaging increases.The Packaging technologies of LED is introduced in the paper，including LED chip configuration, packaging materials,package structure,packaging processandkey technology of the LED packaging.The lamp LED,surface mountedtechnology(SMT),chip on board (COB)and system in package(SiP)package structure,andsustrate materials, adhesive materials andpackaging adhesiveused in power white LED are introduced.At the same time, combining with the literature to discuss four key techniques: 1) chip light-emitting efficiency;2) design of optical channel and material selection;3) the use of the phosphor powder;4) thermal design.Finally, the future of LED packaging technology is lookedto.Key words:LED encapsulation、package structure、LED process、packaging materials、key technology 1 绪论LED具有节能、结构牢固、寿命长、发光响应速度快等特点[1]，已成为一种发展潜力巨大的新型照明光源。功率型LED的研发和产业化是未来LED产业发展的重要方向之一。目前，已实现商业化应用的白光LED光效可达到120 lm/W。1.1 LED芯片结构芯片作为LED器件的大脑，其光学特性决定了最终整个封装模型的性能，为提高发光效率并解决散热等问题，LED芯片结构的发展可主要概括为水平结构、倒装结构、垂直结构等几个阶段，包含各种尺寸，大功率和小功率芯片在尺寸方面差别较大[2]。1.1.1 水平结构水平结构是芯片传统结构，如图1.1(a)所示[3]。这种P型接触结构制约了LED 芯片的工作功率，同时这种结构PN结的热量通过蓝宝石衬底传导出去，导热路径较长，而且蓝宝石的热导系数较低，因此这种LED芯片热阻会较大。正负电(a) Horizontal structure (b) Vertical structure(c) flip-chip structureFig.1.1 Three kinds of typical structure of LED chip[3].极均位于芯片顶部，由于顶部是芯片的出光面，所以水平电极的存在会阻碍光的出射，出光效果较低。1.1.2垂直结构垂直结构即顶部与底部各为一电极，顶部只有一个电极（负极），出光效果也要较水平电极好，而且芯片中的垂直电极使内部电子在垂直方向运动，大大提高电子空穴对的复合速率及有源层的利用率。当前，在保证一定的发光效率的情况下，向单个垂直结构的芯片内注入较大的电流以提高光通量已经逐渐成为LED芯片发展的方向[4]。2007年，Lumileds公司上市了三维垂直结构的蓝光LED芯片封装( Rebel) 。1.1.3倒装结构倒装芯片结构如1.1(c)所示。倒装芯片即将水平电极结构芯片倒转，将其电极面作为反射面（电极图形往往涂满整个面提高反射效果），衬底作为出光面，此时没有电极等因素阻