第3章_2_氧化课件精品.ppt

3.2 氧化工艺 1957年研究发现SiO2具有阻止杂质原子向硅内部扩散的作用。 硅表面总是覆盖一层SiO2,它具有极稳定的化学性质和电绝缘性质。 SiO2制备和光刻、扩散结合导致了平面工艺和超大规模集成电路的迅速发展。 3.2.1 SiO2的作用： 1. 对杂质扩散的掩蔽作用 2. 作为MOS器件的绝缘栅材料 3. 对器件的保护作用(钝化膜) 4. 用作集成电路的隔离介质和绝缘介质 5. 作为集成电路中电容元件的介质 SiO2结构和性质 SiO2是一种广泛存在的一种物质。分为结晶型和非结晶型。方石英和水晶属于结晶型的。热氧化制备的SiO2是无定型的，是一种透明的玻璃体。 （硅晶体演示） 1、结构： Si-O四面体。结晶型SiO2是四面体在空间规则排列所构成的。非结晶型SiO2是四面体在空间不规则排列所构成的。 二氧化硅晶体结构示意图 2、主要性质 1 密度 密度是SiO2致密程度的标志。密度大表示SiO2致密程度高，密度小表示SiO2致密程度底，无定型的SiO2密度一般为2.20g/cm3. 2. 折射率 折射率是表征SiO2薄膜光学性质的一个重要参数.一般来说,密度大的SiO2具有较大的折射率.波长为5500A时,其折射率约为1.46 3. 电阻率 SiO2的电阻率高低与制备方法和所含杂质等因素有密切关系,高温干氧氧化法制备的SiO2电阻率可超过1016?cm 4.介电强度 SiO2作为绝缘介质时,常用介电常数来表示薄膜的耐压能力, SiO2薄膜的介电强度的大小与致密度、均匀性、杂质含量等因素有关。一般为106~107V/cm。 5.介电常数 介电常数表示电容性能，对MOS电容器，其电容量有下列关系式： 式中，S为金属电极的面积，d为SiO2的厚度。?0为相对介电常数，?SiO2为SiO2的相对介电常数。 6.腐蚀 SiO2的化学性质非常稳定，只与氢氟酸能发生化学反应，反应式如下： SiO2+4HF→SiF4+2H2O 反应式生成的四氟化硅能进一步与氢氟酸反应生成可溶于水的络合物-六氟硅酸，反应式为： SiF4 +2HF→H2（SiF6) 总的反应式为： SiO2+6HF→H2（SiF6)+2H2O 在生产中利用SiO2能与氢氟酸反应的性质，完成对SiO2腐蚀的目的。 3、 SiO2的屏蔽作用 SiO2在集成电路中的重要作用之一，就是作为选择扩散的掩蔽膜。 杂质在硅中的扩散系数： DSiO2= D0exp(-△E/kT) △E为杂质在SiO2中扩散激活能，D0为表观扩散系数。 在确定所需SiO2的厚度时，假定SiO2表面处的杂质浓度与Si-SiO2界面处的杂质浓度为某一个值（例如为103）时，就认为起到了屏蔽作用，由此可求出所需SiO2的最小厚度。 左图给出了用干氧氧化方法生长的SiO2层，在不同屏蔽气态P2O5和B2O3杂质源，扩散时间和所需最小厚度的关系。 3.2.2 SiO2的生长方法--热氧化 制备SiO2的方法很多，有分解沉积法，溅射法，真空蒸发法，阳极蒸发法，等离子氧化法等，对集成电路制造来说，热氧化法制备的SiO2质量最好，是重要的基础工艺之一。化学气相淀积也是一种重要的氧化方法。 1 热氧化原理 热氧化是指硅与氧或水汽，在高温下经化学反应生成SiO2。 热氧化的特点： 1. 具有很高的重复性和化学稳定性； 2. 表面悬挂键少，表面态密度减小。 热氧化的基本过程： 氧化过程主要分为两步： 1 氧化物质（如氧气）通过扩散方式穿过硅表面上已有的一层SiO2薄膜进入SiO2和Si之间的界面。 2 氧化物质在界面处与Si起反应生成新的SiO2层并不断变厚。其反应式： 若氧化物质是氧气： Si+O2 =SiO2 若氧化物质是水蒸气： Si+2H2O=SiO2+2H2 可见，氧化反应生成新的SiO2要消耗一部分Si，使硅片变薄。 消耗的Si层厚度X Si与生成的SiO2层的厚度X SiO2之间的关系为： X Si=0.44× SiO2 总结： 热氧法生长的SiO2来源于硅表面，随着反应的进行，硅表面的位置不断向硅内方向移动。无定形的SiO2分子密度为：2.2×1022/cm3,Si的分子密度：5.0×1022/cm3. 生长一个单位厚度的SiO2需要消耗0.44个单位厚度的硅层。 2 常用的热氧化方法 （1）氧气氧化 分为干氧氧化和湿氧氧化两种方式。 A、干氧氧化 干氧氧化是指在高温下，氧与硅反应生成SiO2： Si+O2→ SiO2 氧化的温度为900℃~1200℃。 干氧氧化生成的SiO2结构致密，干燥，均匀性好，掩蔽能力强，与光刻胶粘附性好，但速率慢。 B、水汽氧化 水汽