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InI和InF分子电子态从头算法
南开大学
硕士学位论文
InI和InF分子电子态从头算法研究
姓名:戴君
申请学位级别:硕士
专业:光学
指导教师:林美荣
摘 要
单卤化铟分子对开发半导体材料、光电材料以及激光介质等新型材料起着重
要的作用。然而由于它们电子态结构的复杂性以及实验条件的制约,目前对单卤
化铟分子的实验研究还存在着许多问题,尤其对于较高的激发态缺乏全面详尽的
了解。在理论上,大多数的研究集中在基态上,特别是??虸?两个分子,目
前还没有对它们激发态的理论研究的报道。本论文使用量子化学从头计算方法分
别对??虸?分子的电子态进行研究。主要工作有:
用单双激发耦合簇线性响应理论???甃??岷嫌行Ш耸????訧?分
使用内部收缩的多参考单双激发组态相关加????型修正
旋轨道耦合???扑愕玫搅斯斓婪至押蟮腝价电子态,获得了与实验数据
比较接近的光谱常数。
关键词:
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笫一章绪论
第一章绪
论
§??单卤化铟系列分子的研究意义
单卤化铟分子长期以来一直是人们研究的重要对象,它们具有独特的物理、
化学特性,并在开发高频光电器件和半导体器件中起到重要的作用。特别是近年
来,随着高科技产业对半导体材料、光电材料以及激光介质等新型材料的日益增
长的需求,更吸引了人们对它们的基础研究及应用研究的兴趣,其重要性表现在
以下几个方面:
分子在电子结构上具有相似性,在研究中容易获得规律性的启示。并在
研究结果上更具系统性,克服已往研究的零散及不完整现象。同时对该
系列分子的研究可以获得同一金属元素不同卤代分子对能级结构以及电
子态跃迁的影响,深化理论认识。其研究成果是对分子物理理论的重要
补充,对推动分子物理的研究具有重要意义。因此对该系列分子进行量
子化学从头算法理论计算研究,将有助于弄清它们电子态结构的本质特
性及演变趋势。
和??进行了理论研究并对已取得的成果进行了解释,证明单卤化钢的
形成对最终生成???等半导体材料起直接的、决定性的作用。
生长中作为生成半导体材料的气相转运者而存在㈦小”。单卤化铟分子的
光化学特性所给出的光谱信息,已发展成为一种有效的光谱诊断技术,
广泛应用于监测反应源中传输出的反应物比例、反应过程中物种的浓度
及热效应等。
材料。??年???????等人??报导了具有激光作用的稀有气体卤
第一章绪论
综上所述,对单卤化铟系列分子的研究具有重要的理论意义和广阔的应用前
景。然而,由于它们电子结构的复杂性以及化学不稳定性,至今对它们的电子态
能级结构仍缺乏详尽了解,与之相关的辐射机制也不甚清楚。因此,对单卤化铟
分子进行系统、深入的研究,搞清分子电子态的能级结构、辐射机制、电子态弛
豫动力学过程,以及单卤化铟分子中,?原子和卤素原子对能级结构的影响,成
为当前亟待解决的问题。
§??单卤化铟系列分子研究现状
近一个世纪以来,人们对单卤化铟系列分子进行了大量的光谱实验研究,主
要集中在这些分子的爿?。?虎鬺∑???#?虎鬺∑?蚦?R粃??三个谱带。但对
于更高的激发态,由于这一系列分子本身电子态的结构特点导致对它们的观测与
归属相当困难,迄今为止很少有实验报道。
除实验研究外,随着近年来计算机技术和量子化学计算方法的发展,人们越
来越多的使用量子化学从头计算方法对该系列分子进行理论研究。但迄今为止,
大多数计算都针对基态,仅有少量研究涉及激发态,且由于使用理论模型的精度
较低,无法获得高精度的结果。下面简单回顾单卤化铟系列分子的实验与理论研
究现状。
??分子
第一章绪论
了??基态光谱常数。这些实验数据详细总结在参考文献【???中。此后,对
?甔和?猉谱带进行了转动分析。并得到了它们的???.???因
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