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上节复习（9.17） 存储器的两种结构形式？51单片机的物理存储空间和逻辑存储空间？ 低128字节的片内RAM的三种不同区间？各自特点？ 高128字节片内RAM的特点？ 单片机复位条件？复位电路？ 何谓时序？时序图的结构？ 2、低128字节的片内RAM的三种不同区间？各自特点？ 3、高128字节片内RAM的特点？ 4、单片机复位条件？复位电路？ * 1、存储器的两种结构形式？51单片机的物理存储空间和逻辑存储空间？ 普林斯顿结构——RAM和ROM统一编址 哈佛结构—— RAM和ROM分别编址 51系列单片机采用哈佛结构，共有4个物理存储空间，或3个逻辑存储空间。 程序存储器ROM 数据存储器RAM ①工作寄存器区（32个字节） 具有字节地址和寄存器名两种表示方法； 具有4组R0～R7寄存器，当前组由PSW中RS0和RS1指定（上电默认0组）； ②可位寻址区（16个字节） 具有字节地址和位地址两种表示方法； ③用户RAM区（80个字节） 只有字节地址1种表示方法。 ① ② ③ 30H ①每个存储单元都有一个字节地址，但 只有21个单元可以使用； ②这21个单元都有字节地址和寄存器名（SFR）两种表示方法； ③字节地址以0和8结尾的SFR还具有位 地址。 复位条件——在RST引脚出现满足复位时间要求（≥10ms ）的高电平（≥3V）状