2.1二极管概要.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 动画先播放开头，然后停住分析可能将要发生的变化，再播放动画。 * 动画先播放开头，然后停住分析可能将要发生的变化，再播放动画。 * * * * （a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于低频、大电流整流电路。 无论是点接触型、面接触型二极管，电路符号皆为： 半导体二极管实物 二极管的V-I 特性 二极管的V-I 特性曲线可用下式表示 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 硅管的Vth=0.5V左右 锗管的Vth=0.1V左右 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称死区电压或开启电压。 1.正向特性-分为两段： 当V ＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 返回 Si管与Ge管V-I特性的差异 硅管正向导通压降约为0.7V 锗管正向导通压降约为0.2V 反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 2.反向特性 返回 反向饱和电流： 硅管为纳安（10－9）级 锗管为微安（10－6）级 管子反向击穿时的电压值。 管子长期运