半导体制程版MicrochipFabrication：先进的微影.ppt

* 半導體製程(4版)Microchip Fabrication 第10章:先進的微影製程 Peter Van Zant 著姜庭隆 譯 李佩雯 校閱滄海書局中 華 民 國 90 年 11 月 28 日 摘要 滿足次微米製程尺寸:低缺陷密度、晶片密度增加的新方法 ? 雙層光阻製程 ? 雙嵌刻製程 ? 平坦化技術 ? 影像反轉製程 ? 抗反射層、對比強化層、光阻染色添加劑 ? 光罩保護膜 極大型及超大型積體電路圖案成形的關鍵 中型/簡單的大型積體電路 基本製程:用一層光阻 製程尺寸:微米到3微米 極大型和超大型積體電路 先進的微影製程:雙/多層光阻 製程尺寸:次微米 次微米製程涉及的問題 -光學式曝光設備的性能極限 -光阻的解析能力限制 光波前(wavefront)輻射由不同方向/能量混合， 穿過光阻時方向和能量都改變 -平面問題：表面反光、多層的幾何形狀 光學解析度的控制 改善曝光光源 ? 解析比光波長短/小的影像困難 ? 光阻僅對特定高能波峰產生反應 波長短(窄)的優點 1. 能量高,曝光時間短 2. 繞射(diffraction)減少 3. 散射(scattering)減少 圖10.3 繞射造成影像 在光阻上縮小 圖10.4 光在