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- 2017-02-06 发布于北京
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溴化铊探测器的制备研究和测试.doc
溴化铊探测器的制备研究和测试
DOI:10.16660/j.cnki.1674-098X.2016.07.061
摘 要:溴化铊(TlBr)晶体是制备室温γ射线及x射线探测器的优良材料,晶体平均原子序数高,对射线的阻止本领强;禁带宽度大,电阻率高,漏电流较小。因而,近年来倍受人们的关注,已成为目前研究的前沿热点之一。为此,该文对TlBr核辐射探测器制备和测试进行了研究。
关键词:漏电流 能量分辨率 溴化铊
中图分类号:TL816 文献标识码:A 文章编号:1674-098X(2016)03(a)-0061-02
TlBr探测器是一种新型的室温半导体核辐射探测器,具有阻止本领高、禁带宽、高电阻率、高密度等特点,是目前理想的中高能χ,γ射线探测器用的一种半导体材料。经过近几年的研究,得到了较高的发展,探测器的性能达到了较好的水平。TlBr室温辐射探测器被认为是下一代广泛应用于天文物理学、高能物理学、核医学、安检、环境监测等领域的理想探测器。
1 Tlbr探测器制备
(1)切割。
探测器制备工艺的第一步是将晶体切割成所需要的形状和尺寸。TlBr晶体比较软,努氏硬度约12 kg/mm2,在切割的时候会对晶体表面造成损伤,需要特别小心,切割方法金刚主要采用线切割方法。
(2)物理抛光。
物理抛光主要是要去除在切割过程中对晶体
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