《模拟电子技术》期末总复习-场效应管和运算放大器 - 副本.pptVIP

* 《模拟电子技术》 期末总复习 模拟电子技术 * 5 场效应管放大电路 一、场效应管的类型、结构、原理与特性： 类型： 结型： N沟道 P沟道 绝缘栅型：增强型： N沟道 P沟道 耗尽型： N沟道 P沟道 １、结型： N P P G(栅极) D漏极 S源极 D G S D G S D G S P沟道 N沟道 利用电场效应控制电流的半导体器件 * 予夹断曲线 vGS=0V -2V -1V -3V -4V -5V 可变电阻区 夹断区 恒流区（饱和区） 输出特性曲线 iD v DS 0 * * 2、绝缘栅型： N沟道 P沟道 增强型 N沟道 P沟道 耗尽型 P N N G S D P N N G S D + + + + + + 绝缘栅 增强 型 N 沟 道 P 沟 道 绝缘栅耗 尽 型 N 沟 道 P 沟 道 * （1）夹断电压VP或开启电压VT ： （2）饱和漏极电流IDSS: （3）直流输入电阻RGS（DC）：栅压除栅流 3、 主要参数： A、直流参数： （1）最大漏极电流IDM: （2）最大耗散功率PDM: （3）击穿电压：V（BR）DS、V（BR）GS B、交流参数： （1）低频跨导