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第4章 半导体二极管、三极管4.1 PN结4.2 半导体二极管4.3 双极性晶体管 4.4 场效应晶体管上页下页返回4.1 PN结+3228184Ge+14284+4Si锗原子结构示意图硅原子结构示意图硅、锗原子的简化模型1.半导体—— 导电能力介于导体和绝缘体之间 半导体的电阻率为10-3~109 ??cm。典型的半导体材料：硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。晶体结构第4章4.1 PN结 Si Si价电子 Si Si 本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体本征半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。共价健晶体中原子的排列方式单晶硅中的共价键结构上页下页返回本征半导体中，载流子为自由电子和空穴。引发 载流子 —— 电子 和 空穴 对本征激发动态平衡复合温度,光照温度每升高10°C左右，半导体中电子浓度约增大一倍本征半导体的特点:1.本征半导体中载流子数目极少，其导电性能很差2.温度是影响半导体导电性能的重要因素 N型半导体 Si Si Si Sip+2.杂质半导体—— N型半导体和 P型半导体掺入五价元素在常温下即可变为自由电子杂质半导体多余电子电子半导体 在N 型半导体中自由电子是多子，空穴是少子。磷原子失去一个电子变为正离子 Si Si SiB– Si2.杂质半导体—— N型半导体和 P型半导体 P型半导体掺入三价元素空穴空穴半导体P 型半导体中空穴是多子，自由电子是少子。硼原子接受一个电子变为负离子无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。a 1. 在杂质半导体中多数载流子的数量主要与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。b 2. 在杂质半导体中少数载流子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。C 3. 当温度升高时，少数载流子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流主 要是 ，N 型半导体中的电流主要 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） ba 3. PN结的形成 用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上，形成P型半导体区域和N型半导体区域，在这两个区域的交界处就形成一个PN结 。 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成 N 型半导体和 P 型半导体。此时将在N型半导体和 P 型半导体的结合面上形成PN结。物理过程如下: 因浓度差 ? 多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区 ? 空间电荷区形成 内电场 ? 内电场促使少子漂移?内电场阻止多子扩散少子漂移空间电荷区PN多子扩散内电场方向结 论 ：在PN结中同时存在多子的扩散运动和少子的漂移运动。内电场阻挡多子的扩散运动，推动少子的漂移运动。 在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本上稳定。上页下页返回4. PN结的单向导电性由上述分析可知：PN结具有单向导电性 即：在PN结上加正向电压时， PN结电阻很低，正向电流较大。（PN结处于导通 状态,也称为正偏） 加反向电压时，PN结电阻很高，反向电流很小。（PN结处于截止状态，称为反偏）上页下页返回_+_PN+i_+_+_+_+其中K —— 玻耳兹曼常数UT=KT qu在室温（T=300K)时， 。6. PN结的电压与电流关系式中IS —— PN结反向饱和电流UT —— 热电压q —— 电子电量T —— 绝对温度b. 当u0，且u UT 时， ；6. PN结的电压与电流关系I /mA正向6040a. 当u = 0时，i = 0 ；死区电压20-50-25O0.40.8U/V击穿电压-20c. 当u0，且|u| UT 时，i ? – IS 。U(BR)-40反向I /μAPN结的电容效应/v_show/id_XMTMzMDcxNjUy.html PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定—— 势垒电容CB、扩散电容CD势垒电容和扩散电容均是非线性电容。 (1) 势垒电容CB 势垒电容是由空间电荷区离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。(2) 扩散电容CD 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因 PN 结正偏时，由N区扩散到 P 区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。 反之，由P区扩散到N区的空穴，在N区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。扩散电容的示意图如图01.10所示。 图 01.10 扩散电容示意图 当外加正向电压不同时，扩散电流即外电路电流的大小