如何以电容式技术实现多点触控功能.doc

4、 触控技术发展，其实已行之有年，然而，自去年iPhone推出，為触控市场投下了1枚震撼弹，电子產业了解到，触控萤幕并非只是小眾市场，其实足以成為主流输入介面。iPhone证明好的触控介面，确实能取代大多数键盘功能，并赋与使用者更直觉、便利的操作体验；以更大的面板替代键盘，还能设计出更轻薄、时尚造型；加上完全採用固态面板技术，不需担心键盘、滑轮…等机械零件故障问题。 上述这些优点，其实早就存在，為何到现在才看到iPhone在市场脱颖而出？这是供需上的时势所趋。今日手机内建功能愈来愈复杂，尤其是智慧型手机，iPhone贴心的触控介面，让智慧型手机有机会赢得更多人的青睞。多点触控功能出现，造成使用介面的新革命，用户能以更直观的方式使用產品。 然而，有需求而没技术，仍只是空谈。在中小尺寸面板的手持式市场上，一向是电阻式触控萤幕的天下，但iPhone改採投射电容式技术实现多点触控功能，让大家将注意力转移到新的触控技术。除iPhone，还有LG Prada手机、iPod Touch、Samsung Yepp YP-P2媒体播放器…等，都採用投射电容式触控技术，可见此技术已从小眾走向大眾市场。 表面电容式触控工作示意图 表面电容式技术 电容式触控技术，是透过手指接触触控萤幕造成静电场改变进行侦测，其中单点触控电容式技术，其实已相当成熟，也就是表面电容式(Surface Capacitive)。此技术架构较单纯，只需1面ITO层即可实现，而且此ITO层不需特殊感测通道设计，週边只需接4条讯号线和接地线即可，生產难度及成本都可降低。 运作架构上，系统会在ITO层產生1个均匀电场，当手指接触面板会出现电容充电效应，面板上的透明电极与手指间形成电容耦合，进而產生电容变化，控制器只要量测4个角落电流强度，就可依电流大小计算接触位置。表面电容式技术虽然生產容易，但需进行校準工作，也得克服难解的EMI及噪讯问题。最大的限制则是，它无法实现多点触控功能，因电极尺寸过大，并不适合小尺寸手持设备设计。 投射电容式技术 投射电容式(Projected Capacitive)技术是实现多点触控的希望所在。相较於表面电容式，投射电容式採单层或多层样式化(patterned)ITO层形成行/列交错感测单元(sensing element)矩阵。如此一来，整个使用生命週期中，不需透过校準就能得到精确触控位置，而且可以使用较厚的覆盖层，也能做到多点触控操作。 不过，在设计上的难度也提升许多，以布线来说，採投射电容式的手机面板，至少需要接15条线。 就技术原理，有2种方式可实现投射电容式触控感测，一种是自电容型(self capacitance，也称absolute capacitance)，另一种為互电容型(mutual capacitance，也称transcapacitance)。自电容型是指触控物与电极间產生电容耦合，并量测电极的电容变化确定触碰发生；互电容型则是当触碰发生，会在邻近2层电极间產生电容耦合现象。 根据这2种原理，可以设计不同的投射电容式架构，不同架构能做到的多点触控功能也就不同。多点触控其实可细分為2种：一种是手势辨识追踪与互动(Gesture interaction)，也就是仅侦测、分辨多点触控行為，如缩放、拖拉、旋转…等，实现方式為轴交错式(Axis intersect)技术；另一种则是找出多点触控个别位置，此功能需採复杂触点可定位式(All point addressable；APA)技术才能达成。以下将介绍这2类技术作法： 轴交错式 轴交错式(又称Profile-based)技术，是在导电层上进行菱形状感测单元规划，每个轴向需要1层导电层。以2轴型式為例，触控侦测时，感测控制器会分别扫描水平/垂直轴，產生电容耦合的水平/垂直感测点会出现上升波峰(peak)，而这2轴交会处即正确触控点。由於每次量测為利用单导电层与触碰物电容耦合现象，因此属自电容型技术。 轴交错式电容式触控技术，其实正是笔记型电脑触控板(touch pad)的实现技术，技术相当成熟，但触控板与触控萤幕最大差异在於，前者是不透明、后者是透明的。因為不透明，所以触控板可在感测区使用金属或碳原子式电极。投射电容式触控萤幕则是透明的，因此需採透明ITO做為导电电极，而且此层ITO不像电阻式或表面电容式是均匀导电层，而需要做样式化设计。 单点触控应用上，轴交错式能得到确切触控位置，因此不像表面电容式需经校準修正。透过一些演算法，轴交错式也能做到多点触控手势辨识功能，但若要定位多点触控正确位置会有困难。以2轴的扫描来说，2个触控点分别会在X轴与Y轴各產生2个波峰，交会起来就產生4个触点，其中2个点是假性触控点(Ghost point)，这将造成系统无法进行正确判读。 不过，仍