光伏系统的维护和故障排除.docVIP

1.1太阳电池工作过程 吸收光子，产生电子空穴对； 电子空穴对被内建电场分离，在pn结两端产生电势； 将pn结用导线连接，形成电流； 在太阳电池两端连接负载，实现将光能向电能转换。 1.2 硅 p-n结 pn结含义：把一块n型半导体和一块p型半导体结合在一起，存在有p型区和n型区，那么，二者交界面的过渡区即称为pn结。 空穴的产生： 硅原子外层有4个电子，受到原子核的束缚较小，如果得到足够的能量，会使外层电子摆脱原子核的束缚形成自由电子，并同时在原轨道上留出一个空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净的硅晶体中，自由电子和空穴的数目是相等的。 在硅晶体中每个原子有4个相邻原子，并和每一个相邻原子共有2个价电子，形成稳定的8原子壳层。从硅的原子中分离出一个电子需要1.12eV的能量，该能量称为硅的禁带宽度。被分离出来的电子是自由的传导电子，它能自由移动并传送电流。 p型半导体 在纯净的硅晶体中掺入3价杂质，如硼（或鋁、镓或铟等），这些3价杂质原子的最外层只有3个价电子，当它与相邻的硅原子形成共价键时，还缺少1个价电子，因而在一个共价键上要出现一个空穴，因此掺入3价杂质的4价半导体，也称为p型半导体。对于p型半导体，空穴是多数载流子，而电子为少数载流子。 n型半导体 在纯净的硅晶体中掺入少量的5价杂质磷（或砷，锑等），由于磷原子具有5个价电子，所以1个磷原子同相邻的4个硅原子结成共价键时，还多余1个价电子，这个价电子很容易挣脱磷原子核的吸引而变成自由电子。一个掺入5价杂质的4价半导体，就成了电子导电类型的半导体，也称为n型半导体。 在p 型半导体材料中，空穴数目多，称为多数载流子；电子数目少，称为少数载流子；在n型半导体材料中，空穴数目少，称为少数载流子；电子数目多，称为多数载流子。 内建电场的形成 在 p-n 结内，由于两边分别积聚了负电荷和正电荷，会产生一个由正电荷指向负电荷的电场，因此在 p-n 结内，存在一个由n区指向p区的电场，称为内建电场（或称势垒电场)。 1.3 电池工作原理 基于半导体的光生伏特效应将太阳辐射直接转换为电能。基本结构就是一个大面积平面p-n结。在光照条件下，只有具有足够能量的光子进入p-n结区附近才能产生电子-空穴对。 太阳电池在光照下，能量大于半导体禁带宽度的光子，使得半导体中原子的价电子受到激发，在p区、空间电荷区和n区都会产生光生电子-空穴对，也称光生载流子。这样形成的电子-空穴对由于热运动，向各个方向迁移。 光生电子-空穴对在空间电荷区中产生后，立即被内建电场分离，光生电子被推进n区，光生空穴被推进p区。在空间电荷区边界处总的载流子浓度近似为0。 在n区，光生电子-空穴产生后，光生空穴便向 p-n 结边界扩散，一旦到达 p-n 结边界，便立即受到内建电场的作用，在电场力作用下作漂移运动，越过空间电荷区进入p区，而光生电子（多数载流子）则被留在n区。 p区中的光生电子也会向 p-n 结边界扩散，并在到达 p-n 结边界后，同样由于受到内建电场的作用而在电场力作用下作漂移运动，进入n区，而光生空穴（多数载流子）则被留在p区。 因此在 p-n 结两侧形成了正、负电荷的积累，形成与内建电场方向相反的光生电场。这个电场除了一部分抵消内建电场以外，还使p型层带正电，n型层带负电，因此产生了光生电动势。这就是“光生伏打效应”（简称光伏）。 如果使太阳电池开路，即负载电阻， RL =∞ ，则被 p-n 结分开的全部过剩载流子就会积累在 p-n 结附近，于是产生了等于开路电压VOC的最大光生电动势。 如果把太阳电池短路，即RL = 0，则所有可以到达 p-n 结的过剩载流子都可以穿过结，并因外电路闭合而产生了最大可能的电流，即短路电流Isc。 如果把太阳电池接上负载RL，则被结分开的过剩载流子中就有一部分把能量消耗于降低 p-n 结势垒，即用于建立工作电压Vm，而剩余部分的光生载流子则用来产生光生电流Im。 太阳电池结构 2.1晶硅电池 2.1.1晶硅太阳能电池的基础 光伏效应：光伏效应是光生伏打效应的简称，指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合面之间产生电位差的现象。 2.1.2 晶硅电池的工作原理 当光线照射太阳电池表面时，一部分光子被硅材料吸收，光子的能量传递给了硅原子，使电子发生了越迁，成为自由电子在p-n结两侧集聚形成了电位差，当外部接通电路的时，在该电压作用下，将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。 2.1.3 制作流程 冶金级硅（纯度为98%）→多晶硅→单晶硅→硅晶锭→切割→清洗→pn结扩散→刻蚀→去PSG淀积减反膜→丝印背银→烘干→丝印背铝电场→烘干→丝印正银电极→高温烧结→测试分档→组件电池 2.2 非晶硅