南京理工大学半导体物理作业及答案.docVIP

半导体物理学 作 业 第O章 半导体中的晶体结构 1、试述半导体的基本特性。 答： 室温电阻率约在10-3~106Ωcm，介于金属和绝缘体之间。良好的金属导体:10-6Ωcm；典型绝缘体: 1012Ωcm。 负的电阻温度系数，即电阻一般随温度上升而下降；金属的电阻随温度上升而上升。 具有较高的温差电动势率，而且温差电动势可为正或为负;金属的温差电动势率总是负的。 与适当金属接触或做成P-N结后，电流与电压呈非线性关系，具有整流效应。 具有光敏性，用适当的光照材料后电阻率会发生变化，产生光电导； 半导体中存在电子和空穴(荷正电粒子)两种载流子。 杂质的存在对电阻率产生很大的影响。 、 假定可以把如果晶体用相同的硬球堆成，试分别求出简立方、体心立方、面心立方晶体和金刚石结构的晶胞中硬球所占体积与晶胞体积之比的最大值。 解简立方结构，每个晶胞中包含1个原子，原子半径为， 比值为 体心立方结构，每个晶胞中包含2个原子，原子半径为，比值为 面心立方结构，每个晶胞包含4个原子，原子半径为，比值为 金刚石结构，每个晶胞包含8个原子，原子半径为，比值为 、什么叫晶格缺陷？试求Si肖特基缺陷浓度与温度的关系曲线。 在实际晶体中，由于各种原因会使结构的完整性被破坏，从而破坏晶格周期性，这种晶格不完整性称为晶格缺陷。 、 Si的原子密度为，空位形成能约为