低频电子电路章培训教案.ppt

* * * * * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 1.2.2　有电压时PN 结的导电能力 1 PN 结的电阻特性 P+ N 内建电场 E l0 + - V PN 结正偏 空间电荷区变薄 空间电荷区内建电场减弱 多子扩散 少子漂移 扩散形成较大的电流 PN 结导通 I 电压 V ? 电流 I ?? 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 PN 结——导电原理 扩散电荷被电源吸收和补充 P+ N 内建电场 E l0 - + V PN 结反偏 空间电荷区内建电场增强 少子漂移多子扩散 少子漂移形成微小的反向电流 IS PN 结接近截止 IR IS 与 V 近似无关。 温度 T ? 电流 IS?? 结论：PN 结具有单方向导电特性。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 阻挡层变宽 少子被电源吸收和补充 PN 结——伏安特性方程式（ PN 结正、反向特性，可用理想的指数函数来描述： 热电压 ? 26 mV(室温) 其中： 　　IS 为反向饱和电流，其值与外加电压近似无关，但受温度影响很大。 正偏时： 反偏时： 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 ） PN 结——伏安特性曲线（ -IS Si Ge Vj(on) Vj(on) = 0.7 V IS = (10-9 ~ 10-16) A 硅 PN 结 Vj(on)= 0.25 V 锗 PN 结 IS = (10-6 ~ 10-8) A vj = Vj(on)时 随着vj ? 正向R 很小 ij ?? PN 结导通； vj Vj(on)时 ij 很小(ij ? -IS) 反向R 很大 PN 结截止。 温度每升高 10℃，IS 约增加一倍。 温度每升高 1℃， Vj(on) 约减小 2.5 mV。 0 ） 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 |vj|? = V(BR)时， ? |ij|急剧??? ， ? PN 结反向击穿。 雪崩击穿 齐纳击穿 PN 结掺杂浓度较低(l0 较宽) 发生条件： 形成原因： 外加反向电压较大( 6 V) 时，载流子动能增大形成碰撞电离。 -V(BR) ij vj 形成原因： 外加反向电压较小( 6 V)，就能导致价电子场致激发。 发生条件： PN 结掺杂浓度较高(l0 较窄) 0 PN 结的击穿特性（ 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 ） 因为 T ? ? 载流子运动的平均自由路程 ? ?V(BR)?。 雪崩击穿电压具有正温度系数。 齐纳击穿电压具有负温度系数。 因为 T ? ? 价电子自身活跃度增强? ?V(BR)?。 2 PN结的热击穿现象 热击穿是指PN结功率耗损过大，结温升高，半导体激发加强，导致PN结功耗进一步增大的恶性循环。循环的最终结果，必将导致PN结的晶体结构遭到破坏，半导体材料被烧毁，PN结的导电特性不复存在的开路状态。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 3　PN 结的电容特性 PN结内净电荷量随外加电压变化产生的电容效应。 势垒电容 CT 扩散电容 CD 　PN结贮存的自由电子和空穴同步增减所需的电荷储量变化的电容效应。 CT(0) CT V O xn 少子浓度 x O -xp P+ N 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 PN 结电容 PN 结反偏时，CT CD ，则 Cj ? CT PN 结总电容： Cj = CT + CD PN 结正偏时，CD CT ，则 Cj ≈ CD 故：PN 结正偏时，以 CD 为主。 故：PN 结反偏时，以 CT 为主。 通常：CD ? 几十 pF ~ 几千 pF。 通常：CT ? 几 pF ~ 几十 pF。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 1.2.3　4种常见二极管导电情况 结构：“PN 结+单一半导体”构成 特性： PN结电阻特性+体电阻RS 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 1 普通二极管的特性 特点： 普通二极管是为利用PN结单向导电性而专门制造的二极管。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 普通二极管参数 （1）反向特性。 二极管的反向电流主要由PN结的反向饱和电流IS决定。硅管的 为nA数量级，锗管的 为?A数量级。 （2）正向特性。 电流较小时，二极管的伏安特性更接近指数特性； 电流较大时，二极管的伏安特性更接近直线特性。