半导体物理第6章概要.ppt

第六章 pn结  发光二极管 光电池 pn结的重要性质 电流电压特性 电容效应 击穿效应 常用的方法 合金法 扩散法 The simplest method of producing an oxide layer consists of heating a silicon wafer in an oxidizing atmosphere. pn结的杂质分布 1.合金法（突变结） pn结的杂质分布 2.扩散法（缓变结） 线性缓变结 , 杂质浓度梯度 6.1.2 空间电荷区 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。 载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动. 在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。 6.1.3 pn结能带图 平衡pn结能带图 p区能带相对向上移 n区能带相对向下移 费米能级相等， pn结达平衡状态，没有净电流通过。 势垒区 在p–n结的空间电荷区中能带发生弯曲，这是空间电荷区中电势能变化的结果。 因能带弯曲，电子从势能低的n区向势能高的p区运动时，必须克服这一势能“高坡”，才能到达p区； 同理，空穴也必须克服这一势能“高坡”，才能从p区到达n区 这一势能“