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集成电路制造技术第六章 化学气相淀积 西安电子科技大学 微电子学院 戴显英 2010年3月 第六章 化学气相淀积 化学气相淀积：CVD，Chemical Vapour Deposition。 通过气态物质的化学反应，在衬底上 淀积一层薄膜的工艺过程。 CVD薄膜：集成电路工艺所需的几乎所有薄膜，如 SiO2、Si3N4、PSG、BSG（绝缘介质） 多晶硅、金属（互连线/接触孔/电极） 单晶硅（外延）等。 CVD特点：淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和 重复性好、台阶覆盖好、适用范围广、设备简单等 CVD系统：常压CVD（APCVD）、低压CVD（LPCVD）和 等离子增强CVD（PECVD） PVD 与 CVD CVD：衬底表面发生化学反应 PVD：衬底表面不发生化学反应 CVD: 更好的台阶覆盖性 (50% to ~100%) 和空隙填充能力 PVD: 台阶覆盖性差 (~ 15%) 和空隙填充能力差 PVD 源: 固态材料 CVD 源: 气体或蒸汽 CVD氧化层与热生长氧化层的比较 CVD氧化硅 vs. 热生长氧化硅 热生长氧化硅 ? O来源于气源，Si来源于衬底 ? 氧化物生长消耗硅衬底 ? 高质量 CVD 氧化硅 ? O和Si都来自气态源 ? 淀积在衬底表面 ? 生长温度低（如PECVD） ? 生长速率高 介质薄膜的应用 浅槽隔离 (STI, USG) 侧墙隔离 (USG) 金属前介质 (PMD, PSG or BPSG) 金属间介质 (IMD, USG or FSG) 钝化介质 (PD, Oxide/Nitride) 浅槽隔离 (STI) 侧墙隔离 介质层的应用实例 6.1 CVD模型 6.1.1 CVD的基本过程 ①传输：反应剂从气相经附面层（边界层）扩散到（Si）表面； ②吸附：反应剂吸附在表面； ③化学反应：在表面进行化学反应，生成薄膜分子及副产物； ④淀积：薄膜分子在表面淀积成薄膜； ⑤脱吸：副产物脱离吸附； ⑥逸出：脱吸的副产物从表面扩散到气相，逸出反应室。 CVD图示 6.1 CVD模型 6.1.2 边界层理论 CVD气体的特性：平均自由程远小于反应室尺寸，具有黏滞性； 平流层：主气流层，流速Um 均一； 边界层（附面层、滞留层）：流速受到扰动的气流层； 泊松流（Poisseulle Flow）：沿主气流方向（平行Si表面）没有速度梯度，沿垂直Si表面存在速度梯度的流体； 6.1 CVD模型 6.1.2 边界层理论 边界层厚度δ（x）：流速小于0.99 Um 的区域； δ（x）=（μx/ρU)1/2 μ-黏滞系数，x-与基座的距离，ρ-密度，U-边界层流速； 平均厚度 或 Re= ρUL /μ，雷诺数（无量纲） 雷诺数取值：200，平流型；商业CVD：Re=50-100； 200，湍流型（要避免）。 6.1.3 Grove模型 6.1 CVD模型 6.1.3 Grove模型 ①假定边界层中反应剂的浓度梯度为线形近似，则 流密度为 F1=hg(Cg-Cs) hg - 气相质量转移系数， Cg- 主气流中反应剂浓度， Cs - 表面处反应剂浓度； ②表面的化学反应速率正比于Cs，则流密度为 F2=ksCs ③平衡状态下，F=F1=F2，则 Cs = Cg/(1+ks/hg) 6.1.3 Grove模型 平衡下，Cs = Cg/(1+ks/hg) ④两种极限： a. hg ks时， Cs → Cg ， 反应控制； b. hg ks时， Cs → 0， 扩散控制； 6.1 CVD模型 ⑤薄膜淀积速率G 设形成一个单位体积薄膜所需的原子数为N1， （Si：N1=5x1022cm-3；），则 G=F/N1=G=F2/N1=[kshg/(ks+hg)](Cg/N1) μm/min 其中，Cg=YCT,(若反应剂被稀释) Y-反应剂的摩尔百分比，CT-分子总数/cm3； 一般表达式：G=[kshg/(ks+hg)](CT/N1)Y 两种极限情况 ①反应控制：hg ks，则 G=（CTksY)/N1 ； ②扩散控