各种晶体管的运作机理概要.ppt

各种晶体管的运作机理 晶体三极管(BIT) 金属氧化物半导体场效应管（MOSFET） 隧道场效应管（TFET） 晶体三极管 晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电，故称之为双极型晶体管（BJT）.又称为半导体三极管。 晶体管的结构 根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就形成晶体管。 晶体三极管 采用平面工艺制成的NPN型硅材料晶体管如图所示，位于中间的P区成为基区，它很薄且杂质浓度很低；位于上层的N区是发射区，掺杂浓度很高；位于下层的N区是集电区，面积很大。 晶体三极管 晶体三极管 场效应管（FET） 场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。 由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称为单极型晶体管 金属氧化物半导体（MOSFET） 利用栅极电压来控制漏极电流 种类： 按导电沟道分为P沟道和N沟道 按栅极电压幅值分为：耗尽型和增强型 金属氧化物半导体（MOSFET） N沟道增强型MOS管作为例子 结构 低掺杂的P型硅片为衬底，利用扩散工艺制作两个高掺杂的N区，引出源极s和漏极d,半导体上制作一层二氧化硅绝缘层，再在二氧化硅上制作一层金属铝，引出电极，作为栅极g,通常将衬底和源极接在一起使用。 栅极和衬底各相当于一个极板，中间是绝缘层，形成电容。当栅-源电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，