场效应管放大电路培训教程文件.pptVIP

* * 7. 场效应管的主要电参数 直流参数： (1) 开启电压VT：是vDS 等于测试条件规定的某一值，使iD 开始等于规定的微小测试电流时的vGS 值。 VT是增强型MOSFET的参数。 (2) 夹断电压VP：是vDS等于测试条件的规定值，使iD 减小到微小测试电流时的vGS 值。 VP是耗尽型场效应管的参数。 (3) 饱和漏极电流IDSS：也称为零偏漏极电流，是耗尽型场效应管的参数，是vDS一定（大于VP），vGS=0时的漏极电流。 (4) 直流输入电阻RGS(DC)：结型的RGS(DC)一般大于107Ω，绝缘栅型管一般大于109Ω 。 7. 场效应管的主要电参数 交流参数： (1) 低频跨导gm：定义为vDS一定时，iD的变化量与引起其变化的vGS变化量之比，即 (2) 极间电容：包括源栅电容CGS、源漏电容CDS及栅漏电容CGD。 gm = d iD d vGS vDS一定 gm的单位为西门子。 极限参数： (1) 最大漏极电流IDM：管子工作时允许的最大漏极电流。 (2) 最大耗散功率PDM： 漏极最大允许耗散功率。 (3) 击穿电压：有栅源击穿电压V(BR)GS和漏源击穿电压V(BR)GD 。 8. 场效应管的符号和伏安特性 （因 iG =0，无输