EEPROM读写访问.pptVIP

§ EEPROM应用 §AVR单片机的节电方式 § 抗干扰技术 ATmega16单片机的片内含有512字节的EEPROM，用户可以通过操作其控制寄存器实现对EEPROM中各个存储器的访问。 一、与EEPROM有关的寄存器 ●EEPROM地址寄存器－－EEARH、EEARL EEPROM地址寄存器用于指定某个EEPROM单元的地址，其格式为： EAR0 EAR1 EAR2 EAR3 EAR4 EAR5 EAR6 EAR7 EAR8 － － － － － － － EEARH EEARL EEPROM数据的写入操作步骤如下： （1）等待EEWE为“0”； （2）将EEPROM的地址写入EEAR； （3）将EEPROM的数据写入EEDR； （4）置EEMWE为“1”； （5）在置EEMWE为“1”的4个时钟周期内，向EEWE中写入“1”。 EERE EEWE EEMWE EERIE － － － － 7 6 5 4 3 2 1 0 r r r r r/w r/w r/w r/w 0 0 0 0 0 0 0 0 位 位名 读/写 初始值 EEPROM读使能。此位用于对EEPROM的数据读取，当EEAR中设置了EEPROM的读取地址后，EERE的置“1”操作将使单元的数据送至EEDR寄存器中，此时EERE位自动清“0”。 EEPROM写使能。当EEPROM的地址和数据准备好后，用户必须设置EEWE为“1”，才能将数据写入EEPROM中。在置EEWE为“1”前，EEMWE必须置“1”，否则写入操作无效。 EERE EEWE EEMWE EERIE － － － － 7 6 5 4 3 2 1 0 r r r r r/w r/w r/w r/w 0 0 0 0 0 0 0 0 位 位名 读/写 初始值 EEPROM准备好中断使能。当此位和全局中断使能位都为“1”时，若EEWE置0，则单片机产生一个相应的中断。 EEPROM主写使能。当此位为“1”时，设置EEWE为“1”将把EEDR中的数据写入EEAR所选择的地址空间中；如果此位为“0”，则EEWE无效。 二、EEPROM读/写操作举例 程序清单： /*访问EEPROM*/ #includeiom16v.h //C语言头文件 #define sei() SREG|=0X80 #define cli() SREG=0X7F //EEPROM控制寄存器位定义： #define EERE 0 //读 #define EEWE 1 //写 #define EEMWE 2 //总写入 #define WWRIE 3 //中断 /*端口C初始化* void _init(void) { DDRA=0xff; //定义C口输出 PORTA=0xff; } /*EEPROM写程序*/ void eeprom_w(unsigned int eeadd, unsigned char eedata) { while(EECR(1 EEWE)); //写等待 EEAR=eeadd; //设置写入地址 EEDR=eedata; //设置写入数据 EECR|=(1EEMWE); //总写入允许 EECR|=(1 EEWE); //开始写入 } /*EEPROM读程序*/ char eeprom_r(unsigned int eeadd) { while(EECR(1 EEWE)); //写等待 EEAR=eeadd; //设置读入地址 EECR|=(1EERE); //读命令 return EEDR; //返回数据 } /*主程序，功能：将EEPROM写、读数据后送C口显示*/ void main(void) { _init(); //初始化 cli(); //关中断 eeprom_w(0x0100, 0x07); //将数据写入EEPROM中的0x0100单元 PORTA=eeprom_r(0x0100);//读取EEPROM中0x0100单元的数据,送显 sei(); //开中断 while(1); } 一、节电方式概述 单片机低功耗设计方案主要从以下几个方面考虑： （1）采用CMOS低功耗的单片机； （2）尽量降低单片机的供电电源； （3）降低晶振的频率； （4）采用低功耗的外围电路； （5）使用休眠模式。 二、ATmage16单片机的休眠模式 单片机进入休眠模式，停止正常程序运行，以