电池片各工序影响素因及异常情况.docVIP

电池片各工序影响因素及异常情况 一、一次清洗影响因素： 1、温度： 温度过高，首先就是IPA（异丙醇）不好控制，温度一高，IPA的挥发很快，气泡印就会随之出现，这样就大大减少了PN结的有效面积，反应加剧,还会出现片子的漂浮，造成碎片率的增加。可控程度：调节机器的设置，可以很好的调节温度。 2、时间： 金字塔随时间的变化：金字塔逐渐冒出来；表面上基本被小金字塔覆盖，少数开始成长；金字塔密布的绒面已经形成，只是大小不均匀，反射率也降到比较低的情况；金字塔向外扩张兼并，体积逐渐膨胀，尺寸趋于均等，反射率略有下降。可控程度：调节设备参数，可以精确的调节时间。 3、IPA： 1）、协助氢气的释放。2）、减弱NaOH溶液对硅片的腐蚀力度，调节各向因子。纯NaOH溶液在高温下对原子排列比较稀疏的100晶面和比较致密的111晶面破坏比较大，各个晶面被腐蚀而消融，IPA明显减弱NaOH的腐蚀强度，增加了腐蚀的各向异性，有利于金字塔的成形。乙醇含量过高，碱溶液对硅溶液腐蚀能力变得很弱，各向异性因子又趋于1。可控程度：根据首次配液的含量，及每次大约消耗的量，来补充一定量的液体，控制精度不高。 4、NaOH： 形成金字塔绒面。NaOH浓度越高，金字塔体积越小，反应初期，金字塔成核密度近似不受NaOH浓度影响，碱溶液的腐蚀性随NaOH浓度变化比较显著，浓度高的NaOH溶液与硅反映的速度加快，再反应一段时间后，金字塔体积更大。NaOH浓度超过一定界限时，各向异性因子变小，绒面会越来越差，类似于抛光。可控程度：与IPA类似，控制精度不高。 5、Na2SiO3 SI和NaOH反应生产的Na2SiO3和加入的Na2SiO3能起到缓冲剂的作用，使反应不至于很剧烈,变的平缓。Na2SiO3使反应有了更多的起点，生长出的金字塔更均匀，更小一点 Na2SiO3多的时候要及时的排掉，Na2SiO3导热性差，会影响反应,溶液的粘稠度也增加，容易形成水纹、花蓝印和表面斑点。可控程度：很难控制。4#酸洗HCL去除硅片表面的金属杂质盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与多种金属离子形成可溶与水的络合物。6#酸洗HF去除硅片表面氧化层，SiO2+6HF=H2[siF6]+2H2O。 控制点： 1、减薄量： 定义：硅片制绒前后的前后重量差。控制范围单晶125，硅片厚度在200±25微米以上，减薄量在0.5±0.2g；硅片厚度在200±25微米以上，减薄量在0.4±0.2g。单晶156，首篮减薄量在0.7±0.2g；以后减薄量在0.6±0.2g。 2、绒面： 判断标准：成核密度高，大小适当，均匀。控制范围：单晶：金字塔尺寸3~10um。 3、外观： 无缺口，斑点，裂纹，切割线，划痕，凹坑，有无白斑，赃污。 异常处理： 问题 原因 解决方法 硅片表面大部分发白，发白区域未出绒面 1.NaOH含量偏低，不能充分进行反应，或者IPA含量过高，抑止反应进行。 1.首先判断原因。 2.增加NaOH的浓度，减少IPA的用量。 3.如果不能调节，重新配制溶液。 2.如果表现后续返工可以处理发白区域，则可以断定NaOH浓度不够。 采用稀碱超声。 3.表面清洁度不好。 延长超声时间。 4.溶液状态不够均匀。 1.对溶液进行充分搅拌，补加溶液必须先溶解，加入之后必须进行溶液充分搅拌，使用烧杯或竿进行“8”字形状搅拌溶液。 2.查看电源控制柜相应的加热开关是否都在正常工作。 硅片表面有白斑，部分白斑区域出现在不同硅片同一位置，白斑区域明显表现为被覆盖没有出绒现象 硅片表面的有机物等污染物粘附于硅片表面，阻止硅片制绒。 只使用柠檬酸进行超声，中间对超声槽溶液进行更换。 硅片过腐，表现为绒面角锥体过大，减薄量过大 碱浓度过大或反应温度过大，导致在100面上反应速率远大于??111面上反应速率。 测试温度，确定是否为80度；稀释溶液浓度，同时保证溶液的均匀性；降低下次碱配制的浓度。 单晶硅片 四边都有白边 仍有白边部份硅片反应不够充分，这部份对中间无白边部份偏厚。换言之，整个硅片化学反应不够均匀，中间部份反应放热不易，导致反应激烈。 保证溶液均匀，控制硅片中心速度，增加缓冲剂。硅酸钠溶液可视为缓冲剂。 硅片两侧出现“花蓝印”的白边 由于溶液中硅酸钠的浓度过大，粘稠度增加，使得承片盒与硅片接触的地方得不到充分反应。 视花蓝印的严重程度和数量。通常需要对溶液进行部分排放，并进行补对。鼓泡此时一定要开启。 雨点 氢气泡粘附或氢气泡移动缓慢形成。雨点处的绒面相对正常区域主要表现为制绒不够。 及早发现，并进行IPA补加，通常会去掉或消弱痕迹。 即使形成雨点状不必继续返工，镀完减反射膜，可以盖住。但这并不是成为做出雨点而不加以改善的理由。 制绒时槽内硅片区域性发白 溶液不均匀或硅片本身原因导